请教－－－EECS240课件中的high-swing bias如何理解？
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大家好，EECS240课件中有如下几个宽摆幅偏置电路，不知道如何理解它们对衬偏效应的敏感性?哪位大哥知道有相关的解释文档共享一下，或指教一下相关资料的名称可以吗?急用急用！谢谢了。
You may read Baker's CMOS book (2nd Ed) page 639~650 or Johns/Martin's analog book chapter 6.
最前面的6个管子时机上市一个 W/6L的串联管，为了给高摆幅电流镜提供偏置电压
感谢楼上的大哥，从图书管里只收罗到“Martin's analog”、CMOS电路设计、布局与仿真（第一版EN）、CMOS电路设计、布局与仿真（第二版CH）。
其中好像都没有解释体效应敏感性问题啊，只要第三本有提到为何采用6个串联管的原因。到底如何理解对“体效应的敏感度问题呢?”大家指点指点啊。谢谢了顶起来啊，别这么快就沉下去啊
实际工艺只有 Tri-well才行啊！
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
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