Hspice仿真结果请教

对于MOS管的仿真结果中有以下电容：
element  0:m1       0:m2      
model    0:mn       0:mp      
region     Saturati   Saturati
  id       248.3722u -248.3722u
  ibs      -14.6767a    9.3700a
  ibd       -3.1307f    9.1162p
  vgs        1.1000    -1.2000
  vds        1.0662    -1.9338
  vbs        0.         0.     
  vth      915.2035m -970.5620m
  vdsat    185.4761m -277.8543m
  vod      184.7965m -229.4380m
  beta      11.8244m    6.6942m
  gam eff    1.0171   449.9962m
  gm         2.0657m    1.8208m
  gds       32.4344u   44.2059u
  gmb      868.0440u  421.9151u
  cdtot     80.6388f  121.6075f
  cgtot     68.8514f  115.0264f
  cstot    161.4500f  265.7793f
  cbtot    191.5930f  284.4114f
  cgs       44.2814f   82.5447f
  cgd        9.8013f   19.0950f

请问这五个电容都表示什么意义呢?
恳请达人指点！

re
第三个问题：

*** Output Resistance Related Parameter ***
+pclm = 5.216683               pdiblc1 = 0.110359            pdiblc2 = 4.669031E-3         
+pdiblcb = 0                   drout = 0.56                  pscbe1 = 4.309869E8           
+pscbe2 = 9.513696E-7          pvag = 4.8                    delta = 0.01                  
+alpha0 = 1.548E-5             alpha1 = 17.2                 beta0 = 40.9      
输出电阻的相关截取如上，怎样从中得出其手算表示呢?
Razavi用的是lambda
Sansen用的是工艺参数VE，不知道怎么去挖掘唉。

工艺库不要管

这个很难不管。依然纠结中

输出阻抗就是gds取倒数

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