运放的管子不饱和怎么办

allan 哪本书的第三章
好好的再看看
谁也帮不了你

这个东西说也说不清楚 你多调试下  就能够有所领悟了

调运放的过程：
假设电流值为I=1.6mA
1. 随意给NMOS管子和PMOS三个端点加电压，这一步的目的是查看管子的阈值电压 假设：
    Vthn=0.48V  |Vthp|=0.45V
2. 管子的过驱动电压Vod选在0.15~0.2V之间 现在我们假设为0.2V 并且源级接地Vs1=0
    那么栅极电压为：
    VG1=0.48+0.2 =0.68V
3. 固定M1管的VDS1=0.2V  注意看管子是否处在饱和区 如果不是 稍微降低VG1大小，使得VG1-Vthn1略小于VDS，
    如 VGS-Vthn=0.19V 调节管子的尺寸，使得电流达到1.6mA左右
4. 在刚才的管子上再叠加一个管子M2，如何调呢?这时候我们需要注意的是衬偏效应使得Vth变化，这里假设为：  Vthn2=0.5V  大体思想和上述相同但是注意，原来固定的VDS1电压仍需要存在，固定M2的VDS2=0.2
VDS1=VS2=0.2V,
   所以VG2=0.5+0.2 +0.2=0.9V  调整管子尺寸使得电流为1.6mA
PMOS管的调法一样
各个管子尺寸调好后，将附加的VDS电压去掉，连成后基本就可以了，这个时候还有可能有些管子不饱和，一般是共源共栅管，那么我们遵循下面的原则：
在保持电流不变的条件下 而且Vod不变，那么，增大宽长比使得VDS变小 减小宽长比使得VDS增大
如果增益不够，可以将共源共栅管得宽和长加倍 但是这样做回减低单位增益带宽

楼上的做法是不可能work的
opamp 都是用电流bias的方法，不能直接加个固定电压来bias
Vth 是个模糊的值。foundry 测的方法跟我们平时说的不一样。

你没有看完我的方法或者说没有理解我的方法
我的意思是说调试运放的时候用的是上述方法
实际的偏置电压肯定是需要采用偏置电路产生的 而且运放的性能分析也需要在各个工艺角下仿真

恩, 谢谢楼上的

饱和?

随意给NMOS管子和PMOS三个端点加电压，这一步的目的是查看管子的阈值电压
仿真的时候，测这个干吗  仿真模型里，没有吗

Vth is provided in the model files.

一定要给电流偏置，看Vds sat电压是不是在200mV 左右
必要的时候可以用 OP分析来看 是不是饱和了

库文件里给的是VTH0，BISM3V3以后的模型，实际阈值电压和库里面给的相差很大，比如0.18um, 电源电压为1.8V的库文件中，新加坡charted公司的库文件里给NMOS的阈值电压是：0.39V，但是实际上即使 源端接地，阈值电压大概是：0.48V

11楼的说的是固定电流的调试方法也是可行的
我说的是固定过驱动电压的调试方法
前提条件是你给的晶体管的栅极电压要和过驱动电压的关系满足临界饱和的条件

fab 厂给的SPECTRE仿真工艺值确实有不准的时候

说的对！

同意楼上的
仿真模型里是有阈值电压的啊。

过驱动电压给0.2v是不是有点冒险?

多吗, 如果电源电压只有1.8v, 每个管子都是0.2的过驱动电压, 那摆幅就快没有了啊

this is basic calculation.

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