求高手不吝赐教！请教高压设计的问题！
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如果Vdd要求30V的话，是不是通常也就是要求单管能够稳定工作在30V的Vds下（工艺支持）
在设计方面，仔细调节偏置，尽量让每个支路上的器件均分Vdd，这是否能让Vdd更高一点，这样可靠么?
在设计方面，仔细调节偏置，尽量让每个支路上的器件均分Vdd，这是否能让Vdd更高一点，这样可靠么?
高手指点啊
JSSC有用低压管1.8V来做3.3V/5V的I/O的论文，如果感兴趣的话，可以看看，不过对你这可能没有什么帮助。
输入电压要求30V的话 那么你芯片内部所有和有电压电压供电的模块 里面都要用高压MOS
剩下的模块一般都是你输入电压30V通过REGULTOR降压到5V左右 来作为芯片内部其他的电源 这些普通模块就不需要用高压器件了
好，谢谢
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