请问nmos反向后沟道为何有道明显的痕迹
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如图是一个nmos的poly层与diff层照片，按我的理解，由于多晶硅的遮挡，
扩散有源区时多晶硅下面是被挡住的，也就是说，沟道应该看上去和P衬底一样。
但图中明显出现了一个沟道的痕迹。难道是阈值调节注入时形成的?
谁能解释一下，谢谢。
扩散有源区时多晶硅下面是被挡住的，也就是说，沟道应该看上去和P衬底一样。
但图中明显出现了一个沟道的痕迹。难道是阈值调节注入时形成的?
谁能解释一下，谢谢。
沟道的高度和source/drain的高度是不一样的
应该是沟道会高一点的
因为source/drain还会氧化的，所以silicon还会下去一点
栅氧的厚度跟场氧不同，形成了台阶就有痕迹了
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