model中u0和什么有关

u0和well的掺杂浓度有关。well doping越高，u0会变小。
至于你说的和W&L相关，其实也是针对小尺寸器件，随W&L变小，source/drain imp 对channel会产生影响。

我手上的m;odel参数：
     nmos  l:1~2um  w=1~2um  u0=0.034
               l:2~20um    w=2~20um u0=0.046
    pmos : l:1~2um      w=1~2um   u0=0.027
               l:2~20um   w=2~20um  u0=0.022
                l:1~2um    w:2~20um  u0=0.015
从所给的model参数看：nmos的u0随面积的增大而增大；
                                    pmos的u0随w增大而减小；
请楼上的帮忙解释一下，谢谢！

最早的SPICE模型中U0的主要物理意义是载流子迁移率，现代模型中曲线拟合的成分就多了，所以会根据分段W/L的情况有变化
当然，一般L越小，S/D之间的强电场效应会增强（同样电压下S/D之间的电场强度变大），导致迁移率变小
不过这种情况往往在深亚微米才会出现
以你的模型看来，更大的可能是有效沟道长度和图形沟道长度之间的不一致造成曲线拟合时取不同的值
你可以尝试做两种模拟
固定尺寸，修改U0，确认I-V曲线是和U0成线性变化
把尺寸在临界点附近变化，看看I-V曲线是否会突变，如果它在U0差别很大的情况下仍然近乎连续，就说明这是曲线拟合的结果，没有什么特别意义
一些感觉，供参考

学习中，

BSIM3 spice model中的迁移率由u0、ua、ub、uc参数拟合而得，而且拟合的方法不同会产生不同的取值。
例如采用BIN的方法拟合的spice model，在不同的L&W范围中的取值不一样。
要得到相对准确的迁移率应该通过以上参数带入model公式中计算。

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