模拟新手的几个问题
2)在model里有这个U0 = 3.5000000E-02,就是表面迁移率,它的单位是什么呢?因为经常要用到它来计算。书上的PMOS迁移率的典型值为50 uA/v2,完全对不上呀。
3)常常见到v1p5,v1p5之类,是什么意思?
4)电阻会用到多大的版图,比如说100K的电阻,一个大概的数量级就好,.18工艺。
请指教
5)做带隙基准源时候,可以做到从1.8V到3.4V区间内都稳定输出的基准电压吗?因为我只做出来分别在1.3-2.2V;2.7—3.5v稳定输出的基准。
1,制造可在一起,电源有区别,应该是1.8V 3.3V,除非你这个特殊,一般3.3V做模拟或IO部分,低压做逻辑等
2,不知道,u0在model里确实指表面迁移率?
3,这种情况p一般指dot,小数点,具体是什么就得看。
4,不同类型电阻宽度有不同的约束条件,方块值
5,可以
model应该多是经验模型不是公势模型,
v1p5指的是version 1.5应该指的是你的pdk的版本
謝謝 分享
我也正在學習.
迁移率和书上差比较多很正常吧
1)同一工艺有3.3V和1.8V器件,是在工艺制造的时候不同mask来处理的,3.3V器件的gate oxide大概是35A,而1.8大概是65A;可分别用于逻辑部分和接口部分;
2)表面迁移率和迁移率是不同的,n的迁移率一般在1000~2000之间,而p的迁移率一般为300~800之间,一般n和p的比值为2.5左右;
4)取决于电阻的sheet resistance及最小design rule要求,当然也看你的匹配程度要求多大的电阻宽度,以1K的high res poly为例,100K只需要5根30/1.5的电阻就行,面积约为35x15(加dummy及guard ring)
5)一个做好的reference随电压变化是非常小的,以我自己的经验而论,1.25V的输出,在VCC 2~5的范围内,变化小于10mV,而且良率在95%以上,仿真的话就不超过2mV
谢谢各位大侠!
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