关于工艺问题

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请问高压工艺和普通工艺有什么区别,都在哪些方面?除了tox不一样,vth不一样,还有……
望各位兄弟,不管是路过的还是特地进来的,都帮忙解答一下,谢谢了。

我知道好像源区的注入也是不一样的

还有源区之间的间隔比较大。

高压电路的匹配性没有低压电路好

高压工艺通常采用Triple-Well结构
而普通CMOS工艺则采用Twin-Well或者NWell / PWell结构。
为了忍受高压,在工艺上则需采用一些比较大的DC rule.

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