请问ADS中优化时goal如果想设为目标阻抗附近区域,如何写表达式
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比如优化目标极坐标形式是0.13/-115° ,也就是圆图第三象限比较靠近50欧,复阻抗大概在(0.88-j0.21)*50欧 。
你把端口阻抗50歐姆改成你要的阻抗, 然後goal設成S11(或S22) <=-20dB
从元件库中拉入一个Meas Eqn组件和Zin组件,Zin组件关联想要的端口阻抗,比如Zin1=zin(S11,PortZ1),Meas Eqn组件中写成meas1=pow(real(Zin1)-44,2)+pow(imag(Zin1)+10.5,2),优化goal设置成meas1<1即可。实际就是要求当前阻抗与目标阻抗“(0.88-j0.21)*50欧”的距离尽量小,meas1的正平方根就是阻抗距离。亲测有效!
谢谢,这样可以达到效果,但可能会使最后作图的时候不太方便阅读,因为端口特性阻抗变了,可能还需要调整归一化的参数。
同理也可设共轭选S21最小。
最后实际使用的时候我想用mag函数和Zin函数,还有目标阻抗写个表达式(某端口输入阻抗减去目标复阻抗,然后取幅度),在DDS结果显示页面中插入eqn初步验证了下应该可行。实在不行就单独用real和imag结合平方来写。
小东哥~
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