TD-LTE B40不同RB EVM 会抖动

我做的一款产品，支持TD-LTE B40 ，在测试发射指标时发现在发射功率为23dBm时，测试case 分别为1RB,18RB,100RB。测试发现RB为1和18时EVM 稳定在3%左右，但是在100RB时EVM 开始抖动比较厉害，有时候瞬间EVM 会跳到7%，我看了一下发射功率在1RB，18RB，100RB 时变化不大都在23dBm +-2dB附近。哪位大神能帮忙解释一下，谢谢！

同求大神指点

23dBm是平均功率，1RB、18RB和100RB虽然平均功率一样的，但是峰值功率，或者说是峰均比是不一样的。应该是100RB下的峰均比最大，就是说100RB下的峰值功率会比较高，会导致PA饱和，PA进入饱和时线性度会变差，从而能会导致EVM变差，估计是这个问题。

  再次请教大神，如果真的是这样的原因，请问这个是不是软件那部分的原因跟硬件设计是不是关系不大?

“大神”的称号我是真心不敢当啊！
我只是觉得这个问题和PA的性能关系比较大。就是和PA的饱和、线性度关系比较大；和软件的关系比较小，当然也不能完全排除。
还有100RB的射频信号带宽和1RB和18RB的要宽很多，因此100RB下PA的记忆效应也要比1RB和18RB下明显，记忆效应也是一种非线性的体现，也会影响EVM指标。
总之我觉得100RB下EVM指标恶化，和PA的性能，线性度指标关系比较大。也可能是软件造成的，但是可能性比较低。
排除是否是软件引起的，可以把PA去掉，直接比较一下transceiver输出的EVM指标在各RB下的情况如何?
还有你的板子上有LTE-FDD的频段么?如果有的话也可以看看是否FDD频段也有此问题?
如果你能上一个EVM恶化下的星座图分析分析的话，那就更能定位故障问题了。

  您就不用谦虚了，在我心里您已经是大神了。  我测试是QPSK 调制，我也观察过在EVM 恶化时星座图的那四个矢量点。EVM 好的时候四个点很收敛，就是点聚集在一起。
  等到EVM 恶化瞬间，这四个点会伴随发散的现象发生。
  请教大神这会是我PA的load 阻抗不收敛导致的问题么?还是PA 收入阻抗没有调好导致的?
   还有会不会是PA 的VCC 的layout线宽不够,在100RB 下PA 抽电流比较厉害导致VCC 电压不稳定导致?

不是谦虚，真的不敢当啊，只是我以前也碰到和你类似的问题，也一直没有搞清楚，感兴趣想和你一起讨论，共同进步一下！
你板子上只有TDD?有没有FDD的频段?最好看一下FDD，看FDD下100RB是否也有此现象?
你们用的是什么平台啊，我以前也确实碰到过TDD的频段，EVM有瞬间恶化的现象。你最好用CMW500看一下EVM，CMW500有分别测CP部分和PAYLOAD部分的EVM值的功能，看一下到底是哪部分超了?
反正TDD的EVM确实不怎么好弄。大多数情况是PA的问题，就如你说的有负载阻抗匹配的问题，电源供电和退耦滤波的问题，还有PA本身性能的问题。你可以换换其他品牌的PA看看，确实不好搞啊！

  我这上面只有TDD的频段。最近忙其他的事情去了。等过一段再看看这个问题。  还是非常感谢您！

非常感谢！

   你好，有个问题请教一下：   在测试TD-LTE传导输出功率时，DOWNLINK RB的大小会影响测试结果，那DOWNLINK RB的数值，你们是设定为多少呢?

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