关于射频PA偏置电路的疑问
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这两天我看到一篇文章讲WLAN（2.4G左右）中的PA，其中讲PA偏置电路的那一块，
我有点不太明白。还望各位大神指点一二！
下图标红的部分。
问题1：
Qb基极电流变大的原因是否是：C2和R2的并联阻抗在Input的作用下变小?
（注解上面那句话，是不是因为Input是比较高频，在高频下，C2和R2并联阻抗比较小?）
如果是的话，那么如果Input频率不变的话，是否C2和R2的并联阻抗也应该不变。
为什么在功率增大的时候，Qb的基极电流也会变大。
问题2：
为什么Q2的基极电流变大，就会导致Q2的基-射电压下降?
另外，
Cb'e的存在是否可以解释：为什么Q2的基极电流变大，就会导致Q2的基-射电压下降?
我有点不太明白。还望各位大神指点一二！
下图标红的部分。
问题1：
Qb基极电流变大的原因是否是：C2和R2的并联阻抗在Input的作用下变小?
（注解上面那句话，是不是因为Input是比较高频，在高频下，C2和R2并联阻抗比较小?）
如果是的话，那么如果Input频率不变的话，是否C2和R2的并联阻抗也应该不变。
为什么在功率增大的时候，Qb的基极电流也会变大。
问题2：
为什么Q2的基极电流变大，就会导致Q2的基-射电压下降?
另外，
Cb'e的存在是否可以解释：为什么Q2的基极电流变大，就会导致Q2的基-射电压下降?
求大神指点一二~
nonlinearity
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
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