tsmc 0.18um工艺库MOS管栅宽最大限制到100um
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小弟用ADS软件设计一个LNA,放大管的最优栅宽200多，tsmc 0.18um工艺库MOS管栅宽最大限制到100um，我用了一个并联MOS管的方法实现，不知行不行啊，仿真不过结果挺不错的。 不知有没有其他方法啊?
还是我说吧 tsmc 0.18um工艺库中有专门的射频MOS管，其中有一个参数nr,即叉指数，你可以设的很高，栅宽即为wr(不可改)*nr
请问你有TSMC 0.18um工艺库么?毕业设计需要这个呢。
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