砷化镓，锗硅，cmos噪声系数
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小弟以前是做PCB板，对芯片电路不怎么接触。以前用的射频管很多都是砷化镓的管子。最近在看些芯片电路，有很多都是锗硅，cmos的。现在有个疑问，这三种工艺在设计LNA时，哪种工艺的噪声系数会做的最小?哪位大神有这方面的比较资料，谢谢。Email：jkli022@163.com.
砷化镓NF最好，不过比较贵。
>10GHZ, GAAS>>SIGE>CMOS
BELOW 5GHZ, GAAS>SIGE>=CMOS,
为什么普通mos管的高频噪声性能不好呢
听别人讲是因为工艺制备的不同，导致管子的噪声系数不一样
学习了
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