能否使用IBIS里的寄生元素及DIE容量来模拟PDN？
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各位好，
我在尝试使用2D仿真软件来取得PDN的Target Impedance, 一般板级能模拟到最高频率为电源和GND的plane pair。
得到板级S-parameter后，我能否导入IBIS里的Cpkg, Rpkg, Lpkg, Ccomp的数值，把他们接到PDN的S-parameter，
再走一次S-parameter的计算来获取总的Target Impedance?
这样的做法正确吗?
我得到的仿真结果与实际理论不相符。一般我们认为高频率(100MHz)以上的频段我们只好让Cdie来帮我们去耦，
我得到的结果是Cdie在高频段呈现非常大的反共振现象，根本没有做到去耦的工作。
还请指点纠正。
谢谢。
我在尝试使用2D仿真软件来取得PDN的Target Impedance, 一般板级能模拟到最高频率为电源和GND的plane pair。
得到板级S-parameter后，我能否导入IBIS里的Cpkg, Rpkg, Lpkg, Ccomp的数值，把他们接到PDN的S-parameter，
再走一次S-parameter的计算来获取总的Target Impedance?
这样的做法正确吗?
我得到的仿真结果与实际理论不相符。一般我们认为高频率(100MHz)以上的频段我们只好让Cdie来帮我们去耦，
我得到的结果是Cdie在高频段呈现非常大的反共振现象，根本没有做到去耦的工作。
还请指点纠正。
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