hfss中的吸收边界条件请教

请问在hfss中的吸收边界条件有perfectH,perfectE,PML等等，
他们都在什么情况下应用？
本人刚学微波，有很多的知识不懂，别见笑！

 

多谢了，现在有点明白了

 

所谓的边界条件在电磁计算中实际上就是一个面上的微分方程，
perfectE当然用得最多，金属表面一般都可以按照理想电壁来处理，这个微分方程就是切
向电场为零，有些对称面上如果电场没有切向分量，也可以用PEC来简化
perfectH一般都是些虚拟的表面，比如接地板上的缝隙，微分方程当然就是切向磁场为零
或者法向电场为零，有些对称面也可以用PMC
吸收边界条件是用来模拟自由空间中没有反射的虚拟面，它的微分方程有1阶2阶，HFSS中
的radiation边界用的好象是2阶(在help中可以查到这个方程)，这个微分方程在入射角度
大的时候反射也比较大，不很准确，所以一般定义的虚拟辐射边界要在远程区，使打在虚
拟边界上的入射波角度不至于太大
PML是另一种吸收边界条件，用的是实际上并不存在的多层虚拟媒质，可以吸收入射波，其
最外层也是PEC。这种边界比吸收边界条件要精确

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