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飞思卡尔新RF功率产品降低了面向多载波无线基站的放大器复杂性和运营成本
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2010年9月28日，德州奥斯汀 – 飞思卡尔半导体推出3款新型RF LDMOS功率晶体管，提供在无线基站收发器里使用Doherty多载波功率放大器（MCPA）要求的超高输出电平。
飞思卡尔 MRF8S18260H/S、 MRF8P18265H/S和MRF8S19260H/S 产品是飞思卡尔RF功率放大器中高压第8代（HV8）产品系列的最新成员。 它们在1800和1900MHz频段中，提供飞思卡尔RF LDMOS 功率晶体管产品组合的最高输出电平。
MCPA支持无线服务提供商提高现有基站的覆盖面和功率，不用像过去那样经常要在每载波里提供一个专用放大器。 MCPA技术允许单个放大器处理多个载波，从而减少终端产品尺寸和组件数量。 此外，Doherty配置提高了功率放大器的能源效率，并减少了基站每年的运营成本。
飞思卡尔副总裁兼RF部门总经理Gavin P. Woods表示， “我们设计飞思卡尔HV8组合来帮助设计人员提高运营效率，降低基站系统的整体能耗和运营成本。 由于增加了先进的MCPA、 MRF8S18260H/S、 MRF8P18265H/S和 MRF8S19260H/S产品，我们的LDMOS产品得到进一步扩展，从而为客户带来更多选择，以满足他们的设计需求，特别是满足大量无线服务提供商的要求。”
新产品满足了Doherty放大器体系结构的特殊要求，该体系结构将以AB级模式运行的载波放大器与以效率更高的C类模式运行的峰值放大器相组合到一起。 它们的这些特性还能够特别满足数字预失真（DPD）电路的要求，从而保证了高阶预制方案规定的高线性。
晶体管通过内部匹配提供简化的总成，性能十分牢固，而且在32伏的直流电压中生成10:1 VSWR的额定功率。 它们被安装到飞思卡尔NI1230陶瓷气腔封装包里，提供集成的静电放电（ESD）保护，从而更好地防止在总成线上所遇到杂散电压；当以C类模式操作时，-6至+10 V这样广泛门限电压范围则能提高其性能。
MRF8P18265H/S 是双路径器件，在单个封装中需要同时集成载波和峰值放大器来实施Doherty末级别放大器。
特性：
- 1805 至1880 MHz
- P1dB 功率为260W CW
- 平均输出功率达到74W时，AB类漏极效率为31.6%
- 增益为17.9 dB
MRF8S19260H/S
- 1930 至1,990 MHz
- P1dB 功率为245W CW
- 平均输出功率达到74W时，AB类漏极效率为 34.5%
- 增益为18.2 dB
MRF8P18265H/S
- 1805 至1880 MHz
- 峰值（P3dB）功率为280W
- 平均输出功率达到72W 时，Doherty漏极效率为43.7%
- Doherty增益为16dB
关于HV8
飞思卡尔第八代LDMOS器件旨在降低AM / AM和AM / PM的失真率，实现最高效率、宽带运营、可靠性及采用DPD技术的Doherty应用的耐用性。 与以前几代飞思卡尔LDMOS器件相比，在Doherty应用中HV8 器件的效率通常要高出4-6个百分点。 这些器件证明在大量带宽中，其非对称Doherty放大器的效率能超过50%，同时还保持出众的线性性能。 在无线载波中，这样可以降低冷却要求和缩减基站运营成本，同时让放大器的设计变得更小、更轻便。
定价和供货情况
MRF8S18260H/S、 MRF8P18265H/S和 MRF8S19260H/S现已开始生产。 参考设计和其他支持工具也已供货。 如需了解定价信息，请与飞思卡尔半导体当地销售办事处或授权分销商联系。
关于飞思卡尔半导体
飞思卡尔半导体是全球领先的半导体公司，为汽车、消费、工业、网络市场设计并制造嵌入式半导体产品。这家私营企业总部位于德州奥斯汀，在全球拥有设计、研发、制造和销售机构。如需了解其它信息，请访问www.freescale.com.
