微带天线用什么封装好?
最近小弟做了几种材料封装,实验效果都不理想,要测的信号很小(毫伏级)
希望诸位大侠不吝赐教,感激不尽!!
呵呵~~
可以这么说,薄的天线介质损耗大。
我看见国外天线的介质厚度往往1cm以上。
要是1.6mm的板材,好像天线效率往往降到60%以下了。
是的,微带天线损耗主要来自表面波,
介质越厚,介电常数越大,表面波损耗越大/
没错,可以参看任何一本微带天线的书。
增大介质厚度,或减小介质介电常数,都可以提高效率。
这主要是由于改变了天线辐射的品质因素。
你这么说就没法讨论了.嘿嘿,基本概念大家都知道可是用得对不对
就不好说了。
推荐一本书。
ftp://202.119.24.31/incoming/Document/微带天线设计手册
。
你说的表面波问题。在第一章有论述。你的小结论是对的,表面波
损耗随着介质厚度增加而增加。但是这种损耗属于次要因素。
总结论还是介质厚的损耗小。
不用讨论了。这个东西我都看了10几篇paper了。1979年以前的结论,
现在没必要争。
你这么说,看来真有讨论的必要了,
你请你说微带天线的损耗主要来自什么?
介质损耗? 导体损耗?
另外,微带天线是在80年代后发展起来了,
十几篇文献实际还不是够的。w
对于这个问题,现在二位都有一定的道理,
对于微带天线,但是结论肯定是只有一个的。
请二位继续落实上面的讨论,最好能用几个公式把问题说明白。
表面波的损耗是介质越厚介电常数越大损耗越大,
但是辐射场的能量很大一部分是在空气中,在介质之外,
到底比例是多少,谁是主要的成分。有必要量化研究。
请二位把公式摆出来,以正视听啊。
微带天线的概念是1953 年,Deschamps提出的
70年代初 Howell, Munson制造出了第一根实际的微带天线
公式太长,而且要解释的变量太多。 本来不想贴:
最简的矩形微带天线:
Eff=Rr/(Rr+Rc+Rd)
Rr 辐射电阻。
Rc 铜损耗等效阻抗
Rd 介质损耗等效阻抗
Rr=120λ0/(1-(K0*h)^2/24)
Rc=0.00027*f^0.5*L/W*Qr^2
Rd=30*tanδ*h*λ*Qr^2/(εr*L*W)
可以看见关键是Qr了。
它反映的是谐振储能与辐射的功率比 = c*ε^0.5/(4*fr*h)
h变大 Rr 变大 Rc 变小 Rd 变小。所以辐射效率变大。
所有公式来自于 图书 微带天线 (microsrip antennas) I.J鲍尔 P.布哈蒂亚
电子工业出版社
清华大学图书馆可以借到
此书 54页可以看见 基片厚度与效率的关系图
由于这些分析方法往往是对微带天线边沿的场分析得出的。所以损耗在哪里,也说得不
清不楚。但是可以看出h较小时,由于电容较大,很多能量会集中于微带线间无法发射出
去,最终转换为热能。
我估计你会拿出这些公式的,下班了,多写点吧。
你给的是不考虑表面波的公式,当然
从这样的公式里看不出表面波的作用了。
我的基本概念来自80年代 D.M Pozar:
1/Q=1/Qrad+1/Qsw+1/Qdi+1/Qcu
Qdi=1/介质损耗正切
Qcu=t/Ds Ds趋肤深度
天线效率=Q/Qrad
Qsw 复杂点,我写不清楚:P。但是,据我了解
考虑TMo和TE1模式就足够了。
在TM0表面波的作用下,天线效率在h<0.1波长,
是随着高度变低。在0.1到0.2波长由于辐射效率
提高比表面波恶化快,所以效率随着高度变大,
大于0.2波长,TE1表面作用开始激励起来,
又会重复上述变化
我写不出解析公式,因为这些都是数值计算的结果。
我原来说问题的出发点,是为了说明不能只靠增加厚
度来提高天线效率,要兼顾表面波这一看法。
介质损耗和导体的欧姆损耗,都和材料有关,可以改善,
但表面波,主要介电常数和厚度有关,不好改善
(要减少的用ebg了)。
点到为止了,至于介质损耗只能由时间在说了,欢迎交流。
40cm*5cm
微带4mm
两极间是 介电常数2.55 厚1.6mm 的普通环氧板?我现在想找一种材料做盒子
但不想影响天线的性能
大侠有什么建议??
谢谢
:)
FR-4的介电常数一般是4-4.4
这么低的频率用工程塑料就可了,
好点的用玻璃钢。
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