40年老工程师总结：信号完整性100条经验法则

66、 1GHZ 时，FR4 中由介质材料产生的衰减约是0.1DB/IN，并随频率线性增加。
 
67、 对于FR4 中的8MIL 宽、50 欧姆传输线，在1GHZ 时，其导体损耗与介质材料损耗相等。
 
68、 受损耗因子的制约，FR4 互连线(其长是LEN)的带宽约是30GHZ/LEN。
 
69、 FR4 互连线可以传播的最短时间是10PS/INxLEN。
 
70、 如果互连线长度(IN)大于上升时间(NS)的50 倍，则FR4 介质板中由损耗引起的上升边退化是不可忽视的。
 
71、 一对50 欧姆微带传输线中，线间距与线宽相等时，信号线间的耦合电容约占5%。
 
72、 一对50 欧姆微带传输线中，线间距与线宽相等时，信号线间的耦合电感约占15%。
 
73、 对于1NS 的上升时间，FR4 中近端噪声的饱和长度是6IN,它与上升时间成比例。
 
74、 一跟线的负载电容是一个常数，与附近其他线条的接近程度无关。
 
75、 对于50 欧姆微带线，线间距与线宽相等时，近端串扰约为5%。
 
76、 对于50 欧姆微带线，线间距是线宽的2 倍时，近端串扰约为2%。
 
77、 对于50 欧姆微带线，线间距是线宽的3 倍时，近端串扰约为1%。
 
78、 对于50 欧姆带状线，线间距与线宽相等时，近端串扰约为6%。
 
79、 对于50 欧姆带状线，线间距是线宽的2 倍时，近端串扰约为2%。
 
80、 对于50 欧姆带状线，线间距是线宽的3 倍时，近端串扰约为0.5%。
 
81、 一对50 欧姆微带传输线中，间距与线宽相等时，远端噪声是4%Xtd/rt。如果线时延是1ns,上升时间时0.5ns，则远端噪声是8%。
 
82、 一对50 欧姆微带传输线中，间距是线宽的2 倍时，远端噪声是2%Xtd/rt。如果线时延是1ns,上升时间时0.5ns，则远端噪声是4%。
 
83、 一对50欧姆微带传输线中，间距是线宽的3 倍时，远端噪声是1.5%Xtd/rt。如果线时延是1ns,上升时间时0.5ns，则远端噪声是4%。
 
84、 带状线或者完全嵌入式微带线上没有远端噪声。
 
85、 在50 欧姆总线中，不管是带状线还是微带线，要使最怀情况下的远端噪声低于5%，就必须保持线间距大于线宽的2 倍。
 
86、 在50 欧姆总线中，线间距离等于线宽时，受害线上75%的窜扰来源于受害线两边邻近的那两跟线。
 
87、 在50 欧姆总线中，线间距离等于线宽时，受害线上95%的窜扰来源于受害线两边距离最近的每边各两根线条。
 
88、 在50 欧姆总线中，线间距离是线宽的2 倍时，受害线上100%的窜扰来源于受害线两边邻近的那两根线条。这是忽略与总线中其他所有线条间的耦合。
 
89、 对于表面布线，加大相邻信号线间的距离使之足以添加一个防护布线，串扰常常就会减小到一个可以接受的水平，而且这是没必要增加防护布线。添加终端短接的防护布线可将串扰减小到50%。
 
90、 对于带状线，使用防护线可以使串扰减小到不用防护线时的10%。
 
91、 为了保持开关噪声在可以接受的水平，必须时互感小于2.5nhx 上升时间(ns)。
 
92、 对于受开关噪声限制的接插件或者封装来说，最大可用的时钟频率是250MHZ/(NxLm)。其中，Lm 是信号/返回路径对之间的互感(nh)，N 是同时开馆的数量。
 
93、 在LVDS 信号中，共模信号分量是比差分信号分量达2倍以上。
 
94、 如果之间没有耦合，差分对的差分阻抗是其中任意一个单端线阻抗的2倍。
 
95、 一对50 欧姆微带线，只要其中一跟线的电压维持在高或低不变，则另一跟线的单端特性阻抗就与邻近线的距离完全无关。
 
96、 在紧耦合差分微带线中，与线宽等于线间距时的耦合相比，线条离得很远而没有耦合时，差分特性阻抗仅会降低10%左右。
 
97、 对于宽边耦合差分对，线条间的距离应至少比线宽大，这么做的目的是为了获得可高达100 欧姆的查分阻抗。
 
98、 FCC的B级要求是，在100MHZ 时，3M远处的远场强度要小于150UV/M.
 
99、 邻近的单端攻击次线在强耦合差分对上产生的差分信号串扰比弱耦合差分对上的少30%。
 
100、 邻近的单端攻击次线在强耦合差分对上产生的共模信号串扰比弱耦合差分对上的多30%。