CEATEC JAPAN 2010：罗姆展示多种技术实力和解决方案

最近，在电力电子技术领域，电源转换时半导体组件所带来的功耗已成为一个问题，从环保角度出发，行业也在以进一步降低功耗为目标，不断进行材料特性比硅材料更优越的SiC功率组件的开发研究。在这种趋势下，2004年ROHM率先采用SiC成功试制出MOSFET产品，并成功试制出采用了SBD和这些组件的功率模块，在行业中首先推进了SiC组件/模块的研究和开发。SiC-SBD从2005年开始销售工程样品，结合客户的反馈，罗姆不断努力提高可靠性和改善生产性。此外，为了确保高品质的SiC晶圆，ROHM收购了德国SiCrystal公司，以建立SiC组件的一条龙生产体系。

本次开始量产的“SCS110A系列”产品的反向恢复时间(trr)是15nsec，与以往的硅材料快速恢复二极管(35nsec?50nsec)相比大幅缩短，恢复过程中的损失减少到约三分之一。因此，变压器、转换器、PFC电路中如果采用本系列产品，可以大大降低损耗，从而减少发热量。此外，相比硅材料快速恢复二极管(FRD)，由于其温度变化时的特性变化极小，散热片小型化等可望效果显着。另外，和以往的SiC-SBD相比较，具有反向恢复时间显着改善、芯片尺寸减小15％左右等优势。

另外，本系列产品与已经量产的以往SiC-SBD产品相比，工作时阻抗更小、正向电压更低(VF = 1.5V(标称值)10A时)，温度特性得到改善，实现了比以往产品都高的效率。

图2：碳化硅快速恢复二极管和SiC-SBD的开关波形比较。

图3：量产的SiC肖特基势垒二极管。

现场演示包括采用SiC组件的IPM(智能功率模块)驱动电动汽车的模组，该模组包括了2个SiC肖特基管，以及2个SiC沟道MOSFET。体积较传统方案小1/10，驱动能力为600V/300A。

图4：电动汽车中的SiC模组。