增加GaAs技术，RFMD扩展晶圆代工服务

RFMD将提供针对高功率、低噪声和 RF 切换产品而最佳化的三种不同 GaAs pHEMT 技术。RFMD的0.3微米 pHEMT 技术可提供高功率，并针对 X-band 相位式数组功率放大器(PA)和8-16 GHz的宽频军事电子战干扰器而最佳化。

RFMD的0.25微米 pHEMT 技术可提供低噪声、中功率、高线性度，锁定之应用包括低噪声前端和发射器 MMIC 。0.6微米 pHEMT 技术则提供低噪声和射频讯号高线性切换，是专为无线前端和发射/接收模块应用而设计。

RFMD目前提供Foundry Services的客户北卡罗来纳州格林斯博罗晶圆厂的两项 RFMD的氮化镓(GaN) 制程技术，分别为锁定高功率应用的 GaN1 与锁定高线性度应用的 GaN2 。RFMD并提供一个整合式被动组件(IPC)技术最佳化来配合高功率应用。RFMD的先进 GaAs pHEMT 技术与其氮化镓技术，和其它电源半导体技术互补，以设计多芯片模块(MCM)。

RFMD Foundry Services事业部的成立，旨在为外部晶圆代工客户提供实时的高可靠性、高性能和具价格竞争力的制程制程技术。所有的制程技术都是由RFMD位于英国 的Newton Aycliffe 厂制造，让RFMD Foundry Services 客户可透过简易的欧洲进/出口管制，取得欧洲技术的方式。