射频功率放大器的技术和应用将何去何从？

在手机终端和基站用PA市场，你认为GaAs HBT产品是否会被硅COMS PA和GaN

HEMT产品说逐步替代，并请预测未来5年这些PA产品的市场份额？

对于移动终端PA，GaAs HBT将来会被广泛应用。 GaN HEMT凭借高效率的优点可能在某些高端产品中有机会。考虑到4G/LTE近来日益强化对线性和功率的更高要求，Si-CMOS一般不认为有机会取代GaAs HBT。因此，GaAs HBT会继续保持几乎100%的市场份额。

对于基站PA来说， LDMOS占有较多市场份额，GaAs HEMT份额较少。GaN介入基站PA市场的话，预计会从LDMOS手中夺得部分份额，尤其是高频带领域。如果对于频率覆盖范围要求较高的话,GaN HEMT也可以用于低频。目前仍较难准确预计未来五年的市场份额,但基站PA的宽带化应用广泛度决定了GaN HEMT市场份额可能会在10-40%区间浮动。

GaAs HBT相对LDMOS在4G/LTE基站PA的优势是什么? 多模PA面临的主要技术挑战包括哪些？

我们认为GaNg会成为基站应用的主要器件。相对于LDMOS，GaN器件有如下的优势：一是高效率，因此具有更低功耗，更少热发散；其次是更高功率密度，因此具有更紧凑的体积；还有更高的输入/输出阻抗，因此可实现更宽频带设计。

多模PA不仅要满足不同模式(能够同时处理CDMA/LTE和GSM)下工作，而且还要支持多频带工作。为了实现多模多频(multi mode multi band, MMMB)，最关键的挑战是在一款多功能广频带PA上保持可接受的PAE和体积。因此为了克服困难，PA供应商们会用最高端的器件和设计技术来研发MMMB功放。

三菱电机在功放领域的未来产品线路是怎样的？它们针对的市场应用和主要特点将是什么？

三菱目前正加快面向专用于PC及数据卡的高效率WCDMA PA开发。随着WCDMA及LTE频带增加，多频化和GSM/WCDMA的共用化是很必要的。为此，我们正在加快开发GSM/WCDMA多频多模的4路PA和2路PA。另外，关于无线通讯用的高输出设备，我们会提高SiC基板上GaN HEMT的效率， 在C波段100W级输出的功放器件上达到漏极效率68％的优越性能。今后，小型轻量的宇宙用高输出GaN HEMT方面，在L/S波段，C波段，X波段实现量产的同时，也积极研发面向卫星通信的Ku波段、Ka波段产品。三菱同时也致力于光半导体――高速光通信产品的开发。具体表现为：40Gbps波长多重传送用的波长调谐器激光、单片集合的DQPSK调制器、100G以太网。总之，三菱电机以实现产品的小型化、低能耗、使用方便为目标，并为此一直努力。