研发与建厂并举，RFMD在中国大力投入

作为世界顶级的RF模块供应商，RFMD在十年前开始进入中国并且当时就开设了后道封装测试工厂，这是为了给当时的诺基亚的星网工业园做配套，正是这一机缘，他们与自己的竞争对手相比就有了供应链上的优势。据RFMD总裁兼首席执行官包国富（Bob Bruggeworth）透露，他们从来没有对中国客户缺货的情况发生，这是他们中国战略的集中体现。5年前，RFMD在上海设立了研发中心，现在RFMD在中国已经有2000名员工，在北京、上海和深圳拥有办事机构，从制造、研发到销售，人员非常整齐。

原来在国内他们主要做中低端的RF模块，但是5年前在上海设立研发中心以后，大力投入，现在已经是全球三大研发中心之一。现在全球最先进的产品都已经放在上海进行研发，从最早的GSM到WCDMA和LTE，以及中国的TD-SCDMA产品，都在中国进行研发。现在联想、中兴、华为、展讯和高通中国，都已经是RFMD在中国的战略客户，相比他们的主要竞争对手他们在中国的投入更大，公司的一半员工在中国。他们的基带芯片伙伴，展讯、联发科甚至高通现在都在中国，所以中国市场已经是RFMD最看重的市场。

从去年开始，整个中国的市场在往3G转，不管是高端还是低端产品。而在上网的时候，机器所消耗的能量中80%都来自终端的RF功放，基带和收发器只占有20%的功耗，所以功放的能源效率对于终端的续航时间是一个极端重要的问题。而他们的PowerSmart产品就是为了提高功放的能源效率。RFMD前不久发布的最新的PowerSmart功率平台产品系列，纳入多个全新的3G和4G LTE PowerSmart产品型号。这是一个能够支持达12个4G LTE、3G和2G频段的聚合多模式、多频段功率平台。PowerSmart 4G特别适用于4G LTE操作，是RFMD第一代PowerSmart功率平台的扩展，与第一代PowerSmart功率平台相比，增加了三个额外的3G或4G频段。PowerSmart 4G还包括所有必要的开关和信号调节功能且具有紧凑的参考设计，可为智能手机制造商提供适用于所有前端的单个可扩展来源。

针对目前多频多模的3G/4G手机，多颗射频前端器件的方案不仅成本高，占位面积大，而且也给设计带来不便。如何集成这些不同频段和制式的射频前端器件是业界一直在研究的重要课题。目前有两种方案：一种是融合架构，将不同频率的射频功率放大器集成；另一种架构则是沿信号链路的集成，即将功放与双工器集成,称为PAD。包国富认为两种方案各有优缺点：融合架构，功放的集成度高，有明显的尺寸优势和成本优势。缺点是功放集成时有开关损耗，性能会受影响。而后一种架构性能更好，功放与双功器集成可以提升电流特性，可以提供更好的待机时间。显然RFMD选择了融合架构，因为它们的功放效率高，更加看重的是尺寸和成本，这在消费电子领域是最关键的两大因素。

PowerSmart产品系列还包括一个全新的功率平台，该平台经过优化，适用于新兴3G入口(3Ge)应用，且能够支持多达七个3G或2G频段的多模式、多频段范围。与PowerSmart 4G类似，适用于新兴3Ge应用的RFMD PowerSmart功率平台也包括所有必要的开关和信号调节功能且具有紧凑的参考设计。除了4G和3Ge功率平台之外，RFMD仍在扩展PowerSmart产品系列，将增加多个3G和4G分立式功率放大器。分立式功率放大器可以与任一RFMD PowerSmart功率平台随意搭配，以扩展频段或模式范围。通过与PowerSmart功率平台中的RF Configurable Power Core串联，这些分立式功率放大器能在补偿功率下提供很高的效率。

同时在非常重要的开关领域，RFMD的制造技术已经可以用CMOS标准工艺来制造开关，而以前开关只能使用砷化镓工艺才能满足要求，这对于期间的成本节省是非常重要的，而且也大大减少了砷化镓晶圆的需求量，使得砷化镓晶圆的产能远远高于实际需求，而他们会将更多的精力投入氮化镓工艺的研发，现在氮化镓工艺的晶圆只能做到3英寸大小，离开大规模量产的6英寸晶圆还有很大的距离。