电源技术创新速递

宾夕法尼亚州立大学、美国国家标准技术研究所和专业晶圆制造商IQE公司的研究人员公布了一种近击穿空隙隧道场效应晶体管(NBTFET)技术，这种技术可以用来实现可穿戴计算、物联网、可植入电子产品和智能传感器网络中的下一代高速、低功耗应用。

这种器件使用穿通超薄能量势垒的电子隧道技术，可在低电压时提供大电流(图5)，在漏源间电压为0.5V时可以达到740?A/?m的驱动电流、700?S/?m的固有射频跨导和19GHz的截止频率。这些成果于华盛顿特区举办的国际电子器件会议上作了展示。

图5：垂直隧道场效应晶体管的横截面图。电子隧道发生在晶体管源极和沟道之间的接口处。(资料来源：Suman Datta/Penn State)。

天线放大器和传感器供电并提供保护。E522.40包含一个I2C接口和8位ADC，适用于输入电压从4.5V至25V的应用，并提供了两个独立的范围为3.3V至VBat的可设置输出电压。

AVX公司新推出了TCN PulseCap钽固体电解芯片电容，它们是该公司TLN PulseCap系列的聚合体电极版本。据AVX公司介绍，这种器件特别适合用作固态硬盘(SSD)和外部硬盘(HDD)以及包括智能仪表和智能卡在内的无线发射器中的储能电容。

最后，GE Industrial Systems公司的Critical Power推出了一种基于云端的DC/DC电源模块选择工具。免费的在线电源模块向导可以帮助设计师根据要求的规范选择最适合的GE Critical Power DC/DC模块。