创新型LDMOS RF功率晶体管支持TD-LTE全频段应用

针对目前运营商对于基站快速交付的要求，陈平路称NXP已经在三方面做好了应对的准备。首先，推出集成Doherty和多种Doherty参考电路，类似交钥匙工程，减小设计的复杂程度，令客户加快产品上市的时间；其次，倡导“随时更替(Drop in Replacement)”的设计概念，即未来LDMOS能够沿用目前客户的电路和结构设计，同时带来性能方面的提高，令客户的设计周期将大大缩短；最后，由于RF功率器件的重要性和生产的复杂性，供货量有限是国内外市场，尤其是多种3G/4G制式快速建网的一个瓶颈，因此必须迅速扩大LDMOS的产能，以满足市场需求。

ABI提供的数据显示，2012年恩智浦在RF 功率器件市场排名第二，市场份额约为22%。陈平路表示，公司将继续优化现有LDMOS的工作带宽设计，并开发新的半导体技术比如GaN，这对于多制式无线接入、软件定义无线电和等效的网络平滑演进尤为重要。同时，不断提高LDMOS的功率容量和视频带宽等指标，这对于支持以HSPA/LTE为代表的多载波以及对应的数据流更为关键。