创新型LDMOS RF功率晶体管支持TD-LTE全频段应用

中国移动日前在其官方网站正式公布了2013年TD-LTE无线主设备的招标公告，此次集采涉及全国31个省市，采购规模约为20.7万个基站，共计55万载扇。与此同时，中移动还启动了2013年首次TD-LTE 4G终端集采，规模为20.65万部。业界普遍认为，受蜂窝网络部署的驱动，无线基础设施将有望在以下几个方面出现重大变革，包括高集成度、更高的灵活性、更强的可扩展性、更高的性能和更高效率/更低功耗，从而帮助运营商提高网络容量和覆盖率、降低运营成本和设备成本所面临的挑战。

而在恩智浦半导体(NXP)大中华区无线通讯及射频业务总经理陈平路看来，随着LTE技术的不断演进，未来，满足宽带和多种模式兼容，高密度(低CDS)视频带宽和更高性能的RF功率器件将成为必须。同时，为进一步降低成本，塑料包装和高密度、小型封装RF功率器件产品也会有更多市场需求。

作为重点关注TD-LTE无线基站第八代LDMOS产品线的扩展产品，恩智浦日前推出了全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管。BLC8G27LS-160AV是即将发布的第一款Gen8+器件，据称也是全球最小最经济的解决方案，用于有源天线户外基站(2.6 GHz)的15 W和20 W功率放大器。该设备可同时支持多达5个TD-LTE载波，并提供覆盖全波段(2.5-2.7 GHz)的高效率。

Gen8+产品组合的一项突破性功能是采用了空腔塑料(air cavity plastic, ACP)封装。相比陶瓷封装，ACP技术更加经济、灵活，还允许使用改进型无源器件，通过降低功耗并增加增益和效率来提升性能。此外，Gen8+还加入了大量其他封装选项，包括QFN、OMP和陶瓷封装。

Gen8+产品组合最初设计用于频率范围在2300-2700 MHz之间的基站应用。作为现有恩智浦LDMOS产品系列的扩展，Gen8+增加了各个波段功耗水平的范围，从5瓦到240瓦不等。“基站绿色节能、小型化的需求，转化到功率放大器上，就是如何实现更高的效率和集成度。”陈平路说。

他同时强调称，NXP在PA领域的优势首先得益于其第8代LDMOS技术，“新技术可以提高Doherty放大器的功率、效率，降低内存占用，获得更好的预失真性能，甚至可以将Doherty完全集成到单个晶体管封装结构中。”这意味着，工程师无需再对这类特别复杂电路设计担心，所有分离器、延迟线路和混合器已经包含在设计之中，整个设计过程可以简化成AB类电路设计。

恩智浦半导体(NXP)全新Gen8+ LDMOS#管BLC8G27LS-160AV