架构革新促进性能突破性飞跃

Quick Charge 2.0，真正实现手机“快充”

凭借小创新，投奔到实力强大的大土豪怀抱，是硅谷很多小公司成功的捷径。去年7月，高通收购了一家公司Summit Microelectronics，该公司主要生产电源管理芯片，用于手机、平板电脑和电子书阅读器中，其中为人关注的就是，Summit的Quick Charge快充技术。

高通收购Summit后，今年早些时候发布Quick Charge 2.0，且现在把Quick Charge协议用于自己的chipset里面。Summit的产品经理Abid Hussain表示，除了把Quick Charge协议用于自己的Chipset里，对于那些采用其它公司主芯片的手机厂商，高通也会额外提供单独的快充协议芯片，该芯片里面集成有DC/DC，可以接受快充所需的高电压输入。

Abid以3300mAH的智能手机充电为例，30分钟充电结果显示，传统充电方式充电量为10%，而采用了Quick Charge 1.0和2.0的分别为30%和60%。

但是在充电器的设计方面，高通却选择了合作伙伴PI来提供充电器电源的参考设计。此次拜访PI时，该公司宣布了其ChiPhy系列AC/DC墙插式充电器接口IC，当这种IC与该公司的AC/DC开关IC结合使用时，可集成所有必需的组件，将快速充电功能增加到AC/DC墙插式充电器。

采用TOPSwitch-JX TOP268VG开关IC和CHY100D接口IC的适配器设计，最高功率可达24 W，该电源具有通用输入电压范围，提供最大恒流为2 A的可选输出电压(5 V、9 V和12 V)。

应对记者关于快充对那些不支持该协议的手机会造成危害的质疑时，PI公司行销副总裁Doug Bailey表示，“CHY100能检测到被充电设备是否支持Quick Charge 2.0，如果支持，就调整充电器的输出电压，通过标准USB接线使设备的电池获得更大的功率输入；如果是较老的设备，不支持Quick Charge 2.0协议的，该IC可自动禁止高压输出，这样就能兼容旧设备，保证充电安全。”

“二极管桥控制器” 控制MosFET

这款有特色的产品是PoE二极管桥控制器LT4321，该器件用低功耗 N 沟道 MOSFET 桥取代了两个二极管桥式整流器，可使一部以太网供电(PoE)受电设备(PD)从 RJ-45 数据线对和/或空闲线对接收任一电压极性的电源。

之所以觉得这款产品特别，是因为传统的架构都是以二极管桥整流，但是这款产品使用LT4321控制MOSFET，并且奇怪的是，芯片名称却依然称为“二极管桥控制器”。

“采用二极管桥整流虽然简单，但有很多不足，比如效率低、散热有问题、两个二极管电压降有1.4V。”据该公司混合信号产品行销经理Alison Steer介绍，“所以我们用MOSFET代替了二极管，此方案对功耗的改善特别明显。(见图所示)”

此外，集成的电荷泵为 8 个低导通电阻 N 沟道 MOSFET 提供栅极驱动，无需外部电容器。

图2：与传统方案相比，采用三极管的LT4321极大的节省了功耗。

此外，凌力尔特CTO Bob Dobkin在现场还与媒体分享了其它一些关于某些新架构的特点和优势，比如“一个电阻可以设置输出”、“输出可以被调整为0”、“放大器在单位增益下运行”、“可并联使用调整器以获得更大的电流和热扩散效果”、“调整器可作为电流源使用”等，这些都开阔了工程师的设计思路。