射频SOI技术创始人Peregrine，被日本村田收购后都有啥突破？

派更半导体(Peregrine)是一家专注于射频前端的美国公司，是射频SOI（绝缘体上硅）技术的创始人。自1988年成立以来，派更一直致力于完善其独有的 UltraCMOS 先进技术，并已于 2014 年 12 月被日本村田制作所(Murata)收购，收购完成后派更便以高达90%的速度增长，目前全球员工数475人，主要是研发人员。截至目前，派更半导体拥有300多项专利和正在审批的专利，实现了70%的增长。

据悉，派更半导体公司于 2017 年 3 月对其高管团队进行了重大调整，公司任命 Stefan Wolff 担任新的派更半导体首席执行官，而前首席执行官 Jim Cable 转任派更半导体公司主席兼首席技术官，并担任派更半导体母公司村田制作所的全球研发总监。此外，任命 Dylan Kelly 担任公司新的首席运营官。派更表示，这一系列大胆举措的目的均旨在增强派更的半导体业务能力。

此次在2017上海EDI CON展会期间，派更特地召开发布会，向大家展示其最新的大功率、高频、高可配置性UltraCMOS射频解决方案和公司目前的发展概况。

突破了 SOI 中功率处理的屏障：100 瓦 RF SOI 功率限幅器
在发布会上，派更推出的第一款新品是单片100瓦功率限幅器 UltraCMOS  PE45361。据派更HPA RF 市场营销产品经理 James Lee 介绍，PE45361 建立在备受好评的50瓦 UltraCMOS 功率限幅器取得极大成功的基础之上，并添加了更高的脉冲功率处理能力、更低的限幅阈值及正向阈值控制功能。此外，PE45361 能够为测试与测量设备及无线基础架构收发器中的敏感低噪声接收机提供可靠且可重复的功率保护。

James Lee 表示，UltraCMOS 功率限幅器重新定义了功率保护的概念，并提供了一种取代砷化镓（GaAs）分立 PIN 结二极管功率限幅器的单片式方案，可保护设备不会受到过高 RF 功率、故意干扰及ESD 事件的损害。

与目前主流的 PIN 结二极管功率限幅器相比，James Lee 认为 UltraCMOS 功率限幅器主要有三个方面的优势。首先， UltraCMOS 功率限幅器的响应时间和恢复时间方面加快了10倍，线性度（IIP3 ）改善了10~40 dB，静电放电（ESD）保护能力提高了20倍；其次，UltraCMOS功率限幅器占用的电路板空间通常也小于PIN结二极管功率限幅器；最后，UltraCMOS功率限幅器可通过低电流压控管脚（VCTRL）调节限幅阈值，无需配置隔直电容、射频扼流电感器及偏置电阻器等外接元件。

突破了SOI中的高频屏障：60 GHz 开关
去年 10 月初，派更在欧洲微波与射频通讯技术专业展览会（European Microwave Week）上宣布将推出 60 GHz 开关样品和评估工具，而现在，派更宣布可立即量产供应 UltraCMOS 60 GHz RF SOI 开关。据悉，派得的 60 GHz 开关是业内首个 60 GHz SOI开关，突破了SOI中的高频屏障，主要成员分别是 PE42525 和 PE426525。

James Lee 表示，PE42525 和 PE426525 在所有关键射频参数上均表现出杰出的性能，最高开关速度仅8纳秒。这两款产品凭借高速开关、高隔离度、低插入损耗及出色的线性度等特性，将派更的高频产品组合扩展至以往由砷化镓（GaAs）技术主导的频段。

同时，据 James Lee 介绍，PE42525 与 PE426525 均为单刀双掷（SPDT）射频开关，可支持9 kHz-60 GHz的宽广频率区间。这两款高频开关在多个市场被广泛应用，包括5G、测试与测量和防务市场等。PE42525 是 5G 系统中测试与测量（T&M）设备、微波回传解决方案及更高频率开关的理想选择；而PE426525 的扩展温度范围达到-55~+125摄氏度，成为工业市场中严苛环境应用的首选。