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射频氮化镓(GaN)技术正在走向主流应用
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不过，射频氮化镓要进入5G手机还需要克服现有的一些难点。根据Qorvo的博客，氮化镓技术进入手机的困难主要在于以下三点：
手机应用需要氮化镓器件工作在低电压环境 必须设计新封装形式以满足散热要求 成本太高同时，砷化镓与其他三五价工艺也在开发高频应用技术，如果成功的话，有可能会让氮化镓维持在小众市场。
为了推进氮化镓工艺，业界或许要重新考虑氮化镓工艺的整体架构。"现在氮化镓并不是最适合手机射频功放的技术，"Qorvo的Jimenez说道，"一种可能是改变氮化镓的结构。氮化镓采用的是场效应管（FET）结构，而手机功放则是用异质双结型晶体管（HBT）结构，HBT结构的效率和线性度更好。"
射频氮化镓器件可以考虑垂直结构，或者加入新的沟道材料和绝缘介质，以使其适应低电压的工作环境。
另外，氮化镓工艺必须缩小工艺尺寸。现在氮化镓工艺尺寸正在从0.25微米至0.5微米向0.15微米转换，一些领导厂商甚至在尝试60纳米。
只有时间才能检验射频氮化镓工艺能否适合手机应用，不过射频氮化镓工艺已经在改变整个格局。
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