射频氮化镓(GaN)技术正在走向主流应用

射频氮化镓技术是5G的绝配
虽然氮化镓用到手机上还不现实，但业界还是要关 注射频氮化镓技术的发展。"与砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）等高频工艺相比，氮化镓器件输出的功率更大；与LDCMOS和碳化硅（SiC）等功率工艺相比，氮化镓的频率特性更好。" 分析机构Strategy Analytics的分析师Eric Higham说。

"氮化镓器件的瞬时带宽更高，这一点很重要，载波聚合技术的使用以及准备使用更高频率的载波都是为了得到更大的带宽。"Higham说，"这意味着覆盖系统的全部波段和频道只需要更少的放大器。"

氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）是射频应用中常用的三五价半导体材料，LDMOS（横向扩散MOS技术）是基于硅的射频技术，碳化硅（SiC）可用于功率或射频领域。

可以肯定的是，氮化镓不会统治整个射频应用，设备厂商会像以前一样，根据应用选择不同的器件和工艺制程技术，包括三五价化合物与硅材料。"（射频领域）还是有砷化镓与硅器件的市场空间。"GlobalFoundries射频市场总监Peter Rabbeni说道。

什么是氮化镓？
氮化镓技术可以追溯到1970年代，美国无线电公司（RCA）开发了一种氮化镓工艺来制造LED。现在市场上销售的很多LED就是使用蓝宝石衬底的氮化镓技术。

除了LED，氮化镓也被使用到了功率半导体与射频器件上。  基于氮化镓的功率芯片正在市场站稳脚跟。"我们相信，氮化镓在600V功率器件市场将占有主要优势。"英飞凌氮化镓全球应用工程经理Eric Persson说道。

氮化镓功率器件还是一个新事物，一时半会儿不会取代现在600V的主流技术--功率MOSFET。"要最大限度发挥（GaN功率技术的）作用，必须采用新型拓扑。"Persson说道。

但射频氮化镓技术正在成为主流。根据Strategy Analytics的统计，2015年射频氮化镓市场规模达到3亿美元，该机构预测2020年射频氮化镓市场可达6.885亿美元。

2015年射频氮化镓应用市场分布图

（数据来源于YOLE）