请教ADS软件模拟的问题
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我要做的东西很简单,就是模拟一下金属厚为1um的CPW在厚为0.9um
的SiO2衬底上的插损。不过好像按照help里的设定,
W + 2G< H× 20,这个条件不满足。那么这样计算出来的结果还对
不对呀?
在其它同样的尺寸条件下,衬底厚的插损小还是衬底薄的插损小?
在其它相同的尺寸条件下,衬底的介电常数大插损小还是介电常数
大的插损小?
请大虾们帮帮忙给看看呀!//bow!
的SiO2衬底上的插损。不过好像按照help里的设定,
W + 2G< H× 20,这个条件不满足。那么这样计算出来的结果还对
不对呀?
在其它同样的尺寸条件下,衬底厚的插损小还是衬底薄的插损小?
在其它相同的尺寸条件下,衬底的介电常数大插损小还是介电常数
大的插损小?
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申明:网友回复良莠不齐,仅供参考。如需专业解答,请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
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