“Active terahertz metamaterial devices”（有源太赫兹超材料）的建模仿真
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各位好，本人目前正在阅读陈候通教授的"“Active terahertz metamaterial devices"一文并对其中的模型用CST MS进行仿真。发现并不能取得理想结果。
应该是建模除了些问题，请各位指教。
我建的模型使用CST自带的有耗的砷化镓作为基板材料，通过设置直流离散端口作为偏置电压控制。
文中提到的欧姆接触和肖特基接触可能模型有些问题，欧姆接触即是在一金属片下加上了文中提到的镍-赭-金 三层。
原文模型
我建的模型
可能不大正确的欧姆接触希望各位指点一下，感谢
描述:论文
附件: 2006_H T Chen_Nature 444_597_Active THz MM devices.pdf (726 K)
描述:我的模型
附件: my model.rar (35 K)
应该是建模除了些问题，请各位指教。
我建的模型使用CST自带的有耗的砷化镓作为基板材料，通过设置直流离散端口作为偏置电压控制。
文中提到的欧姆接触和肖特基接触可能模型有些问题，欧姆接触即是在一金属片下加上了文中提到的镍-赭-金 三层。
原文模型
我建的模型
可能不大正确的欧姆接触希望各位指点一下，感谢
描述:论文
附件: 2006_H T Chen_Nature 444_597_Active THz MM devices.pdf (726 K)
描述:我的模型
附件: my model.rar (35 K)
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