这种LC谐振结构怎么消除高频特性？

我用同轴腔体实现一个带零点的LC低通滤波器的时候，用高阻抗线实现电感，低阻抗实现电容，在HFSS里面仿真和ADS里面计算每一段LC得到的S曲线都很吻合，但是在零点部分，也就是并联一个LC串联谐振部分，发现HFSS仿真怎么都达不到ADS里的效果，导致整个滤波器的性能在高频都不好，不知道版上有没有这方面有经验的大牛点拨一下，这个部分该怎么处理，才能接近理想的电感电容串联的效果？ 需要声明的是，在HFSS里面，我任意改变串联谐振的电感长度和电容值，高频趋势都是一样，而不是像ADS里面抬起来就下降的趋势。

HFSS表明你的"高通电容"不足！
**电感可视为低通、电容视为高通，只是...
你是串接两端口还是并接于 common-ground ！？

你的意思是电容不够大？

HFSS里面左右是两个端口，中间的垂直杆是电感和电容面，形成的串联结构，然后接地。

是的！电容"量"不够大..
C= A/D
C 电容量
A 导体面积
D 导体面接面的距离

电容电感串联谐振，改变电容值，也改变了谐振频率。我改变HFSS里面的电感电容大小很容易把谐振点的位置调成和ADS里一样

但我的问题不是谐振点位置的问题，而是在HFSS里谐振点后面的S21为什么会随频率起来那么高，而在ADS里只是起来一些，然后就开始缓慢下降？这个问题怎么解决

楼主做的应该是低通吧，后面的那些谐振不是很容易消掉的，仿真肯定以HFSS的结果为准，ADS集总参数，不能当作最终结果，既然做的低通对后面有很严的要求吗？如果没有就不管它，如果有要求，考虑增加阶数试试

还可以考虑改变并联的那个LC值，从而改变电长度，谐振会改变。

对，是低通，后面挺重要的，所以没放弃这种结构。

我用HFSS仿真查证过，前面的结构仿真和ADS一样，就是串联谐振这个地方导致的后面谐振，所以我认为解铃还须系铃人，还是得从串联谐振结构这个地方入手，增加阶数可能改变不了现状。

我说的电容量不够大！ 是我觉得以HFSS 建模的那个模型（电容结构达不到12.99pF !）
不信！？单独仿真那个电容结构--看看它容量是多少！？

我完全理解你的意思，我也按你的意思改了

谐振点可以和ADS完全重合，但是高频部分，S21形状还是和现在一样，抬的很高，而不是和ADS一样下降趋势。

我想问的是怎么把高频的S21按下去

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