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RF电路中如何选择LDO稳压器PSRR和噪声

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点、零点和输出极点。增大输出电容的容量或减轻输出负载有利于降低高频输出噪声。如图为旁路电容对SG2001输出噪声影响。

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旁路电容对SG2001输出噪声影响

如图为旁路电容对SGM2007 PSRR影响
LDO是一种微功耗的低压差线性稳压器,它具有极低的自有噪声和较高的电源抑制比(PSRR)。SGM2007高性能低压差线性稳压器在10Hz至100kHz频率范围内的输出噪声为30 V(RMS),在 1 kHz 的频率下电源抑制比(PSRR)高达7

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旁路电容对SGM2007 PSRR影响

LDO需要增加外部输入和输出电容器。利用较低ESR的大电容器一般可以全面提高电源抑制比(PSRR)、噪声以及瞬态性能。陶瓷电容器通常是首选,因为它们价格低而且故障模式是断路,相比之下钽电容器比较昂贵且其故障模式是短路。输出电容器的等效串联电阻(ESR)会影响其稳定性,陶瓷电容器具有较低的ESR,大概为10 mΩ量级 采用陶瓷电容时,建议使用X5R 和X7R电介质材料,这是因为它们具有较好的温度稳定性。图为X5R的ESR和频率曲线。

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X5R的ESR和频率曲线

如图为输出电容对PSRR的影响。大电容器一般在一定频率范围内会提高电源抑制比(PSRR)

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输出电容对PSRR的影响

为射频电路选择LDO时,要慎重比较噪声指标,和电源抑制比(PSRR),确保旁路电容、输出电容和负载条件一致。新型音频电路,如免提电话、游戏机、MP3及蜂窝电话中的多媒体电路,可能需要300mA-500mA的大电流LDO,LDO要在音频范围(20Hz至20kHz)应具有低噪声、高 PSRR特性,以保证良好的音质。

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