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RFMD 的 PowerSmart 赢得了复合半导体行业最创新器件奖
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北卡罗来纳州、Greensboro，2011 年 3 月 29 日—— 日前，高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者 RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代号：RFMD) 宣布，Compound Semiconductor 杂志已将该公司的 PowerSmart™ 功率平台 (RFRD6460) 评为 2011 年复合半导体行业最创新器件。该奖项是在 2011 德国法兰克福复合半导体行业奖颁奖期间由 Compound Semiconductor 杂志于 2011 年 3 月 22 日颁发的。
RFMD 革命性的 PowerSmart 功率平台采用 RF Configurable Power Core™，该技术可实现所有蜂窝通信调制方式的多频带、多模覆盖，最高达 4G LTE 64QAM。PowerSmart 功率平台还包括小型参考设计中所有必要的转换与信号调节功能，从而为领先设备制造商提供了面向整个蜂窝前端的单一可扩展资源。
RFMD PowerSmart 功率平台的出色设计灵活性可使智能电话与平板电脑设计人员减少数个月的开发时间，并利用一种设计覆盖更广泛的市场细分，同时与同类竞争解决方案相比可极大缩减尺寸，降低电流损耗及研发成本。
RFMD 总裁兼首席执行官 Bob Bruggeworth 指出：“我们非常高兴 Compound Semiconductor 杂志已将 RFMD 的 PowerSmart 评为 2011 年复合半导体行业最创新器件。RFMD 极为关注将我们在复合半导体行业的领先地位扩展到多个市场中，我们相信在转变到多模、多频带智能电话时所追求的整合前端技术过程中，PowerSmart 处于技术转变的前沿。
除我们基于 GaAs 的 PowerSmart 技术外，RFMD 在基于 GaAs 的聚光光伏和基于 GaN 的高功率放大器方面的努力正在将复合半导体的作用扩展到全球增速最快的市场中。”
编辑 Richard Stevenson 强调：“Compound Semiconductor 对复合半导体行业奖以及复合半导体行业的积极响应感到非常自豪。我们认为突出该行业中的技术成就非常重要，例如 RFMD 的 PowerSmart。这些类别和产品代表了芯片制造工艺方面的关键创新领域。”
RFMD 最近开始批量生产和发运 RFRD6460 PowerSmart 功率平台，以支持 Samsung Galaxy S 2 系列 3G/4G 智能电话与平板电脑以及 LG Optimus 3D。在支持 PowerSmart 方面该公司具有强大的知识产权地位，并且该公司还正在申请多项专利。
Compound Semiconductor 杂志是服务于全球半导体行业的最权威、最广泛的读物。
关于 RFMD
RF Micro Devices（NASDAQ GS 代码：RFMD）堪称在高性能半导体元件的设计与制造方面的全球领先厂商之一。 RFMD 的产品可实现全球移动性，提供更高的连接能力，以及支持蜂窝手机、无线基础设施、无线局域网 (WLAN)、有线电视网络/宽带、航空及国防市场中的高级功能。 RFMD 因其多样化的半导体技术以及RF 系统专业技能而得到业界的认可，并且是受全球领先移动终端及通讯设备制造商所青睐的供应商。
RFMD 总部位于北卡罗来纳州、Greensboro，是一家在全球拥有工程、设计、销售及服务机构的、且具 ISO 9001 及 ISO 14001 认证的制造商。RFMD 在纳斯达克全球精选市场上市交易，交易代码为 RFMD。有关更多信息，请访问 RFMD 网站：www.rfmd.com。
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