RFMD 用于 65V 操作的GaN功率半导体处理技术通过认证

马里兰州、巴尔的摩，2011 年 6 月 7 日 —— 高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者 RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq GS股市代号：RFMD）日前宣布，其用于 65V 操作的 GaN1 功率半导体处理技术已通过认证。这种高可靠性的功率半导体处理技术支持 RFMD 基于 GaN 的功率半导体产品设计，代工客户可通过 RFMD 代工服务业务部门获得该技术。在此之前，RFMD 的 GaN1 功率半导体处理技术已获得认证，可用于 48V 操作。工作电压从 48V 提高到 65V，这使 0.5kW 的微型功率设备可为L 波段和 S 波段的军事和民用雷达应用提供高工作效率。

RFMD 多市场产品组 (MPG) 总裁 Bob Van Buskirk 表示：“我们用于 65V 操作的 GaN1 功率半导体处理技术通过认证，这不仅使 RFMD 能够抓住不同 MPG 市场各种高压应用机遇，而且还能帮助我们的代工客户设计功率更高、更小的外围片芯。为了更好地服务于代工客户并开发专有的 RFMD 产品设计，RFMD 将继续优化我们全新的 GaN 处理技术，重点提供更高的峰值效率、更低的功率消耗及更高的线性化。”

 

RFMD 用于 48V 操作的 GaN1 处理技术无疑是高功率半导体行业的性能领先者，而 RFMD 用于 65V 操作的 GaN1 处理技术的性能甚至比其更高一筹。RFMD 用于 65V 操作的 GaN1 处理技术的平均无故障时间 (MTTF) 为 4300 万小时，其通道温度为 200 ℃，功率密度为 10W，这是该行业一个重要的性能基准。高可靠性的功率半导体处理技术适用于高压操作，是下一代军事、雷达、公共/国防方面移动无线电应用的理想选择。

 

若要获得更多关于 RFMD 代工服务业务部门的信息，请发送邮件至 RFMDFoundryServices@rfmd.com。IEEE 国际微波会议（International Microwave Symposium，简称 IMS）于 2011 年 6 月 6 日至 8 日在巴尔的摩会议中心 (Baltimore Convention Center) 召开，RFMD 已参加该展会，并在其展位（展位号 1402）展出 RFMD 代工服务项目。

 

RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq GS股市代号：RFMD）是高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者。RFMD 实现全球移动性，提供加强的连接性，支持蜂窝手持设备、无线基础设施、无线本地局域网 (WLAN)、CATV/宽频以及航空和国防应用的先进功能。RFMD 半导体技术多样化产品组合以及 RF 系统专业技术享有业界知名度，是全球顶尖移动设备、客户终端设备以及通信设备提供商中的首选供应商。

 

RFMD 总部位于北卡罗来纳州、Greensboro，是一家在全球拥有工程、设计、销售及服务机构的、且具 ISO 9001 及 ISO 14001 认证的制造商。RFMD 在纳斯达克全球精选市场上市交易，交易代码为 RFMD。有关更多信息，请访问 RFMD 网站：www.rfmd.com。