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射频TDD噪声到底是217HZ还是GSM和DCS的频段

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看有的设计比如用33PF电容,那么就应该是滤除射频段的。
而有的RC又有是滤除217HZ,所以一直没搞清楚这个TDD噪声到底是滤除哪个频段的

1、33pF 是滤除900M 的高频信号的。
2、滤除900M 高频信号后, 在电路上(IC内部电路上的二极管效应)就不会检波出217HZ 的信号
3、900M GSM 高频信号 因为时分 BURST 发射 会形成 217HZ
4、因为900M 的最大功率是33 dBm 比 1800M DCS 30dBm 大上一倍, 在弱信号下所以比较容易出现217HZ 的干扰, 通常电路上就33pF ,如果针对1800M 通常就是12pF。

只要是GSM,不分频段

可能我之前没表达清楚。我不是说是射频的哪个频段,我的意思是指是滤除射频频段的高频信号,还是滤除217HZ这个频段。
不是指是滤除900M还是1800M

要回答这个问题其实很简单,楼主是否知道什么是TDD呢?
TDD-时分双工(Time Division Duplexing),在手机行业,TDD噪声专指GSM的burst发射所形成的217Hz噪声。
217Hz是人耳能够识别的,通常在audio器件通路设置217Hz滤波。

但是组成217HZ的还是几百MHZ的高次谐波啊

比较详细!

有一点毫无疑问,如果你说TDD,那么就是217,而不是900M。
杂波无处不在,关键在于你能否接受。
对于audio电路,217是无法接受的,而其他功能电路并不在乎217,因此217滤波只存在于audio通路。
33pf是用来滤除900M的频率成分,这是个通用的电容,并非只是audio通路在用,所有关注900M干扰的通路都会存在。

如果滤波在audio部分,需要多大的电容?加磁珠行吗?

如果是217HZ的话,比如MIC电路,MIC的输入阻抗是20K,一般取-3dB截至,根据f=1/2*Pi*R*C可算出电容的大小。
加磁珠肯定是可以的,不过加磁珠可能声音会小吧。

33pf应该是根据0402的电容寄生电感在1NH左右,从而得出33pf的谐振频率滤除900M比较合适。
我这里关于TDD的一个疑问,主要是TDD噪声不是每个4.6ms发射一次900mHZ的射频包络从而产生的噪声吗?那么理论上滤除900MHZ的干扰就好了。
主要是这里搞不明白。

33pf的理解是对的,但TDD的理解有误差。
TDD产生的根本原因,是因为RF在每个4.6ms中选择1/8时间发射功率,PA发射所需的瞬时大电流或者天线辐射出去的瞬时大功率,形成了217噪声。
还是那景:TDD-时分双工(Time Division Duplexing),定义中与900M没有任何关系。因此严格来说,33pf不是针对TDD的,而是针对900M的。

申明:网友回复良莠不齐,仅供参考。

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