关于手机辐射杂散问题的

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最近老碰到GSM900的二次谐波超标的问题（1.8G：-36DB），

我们一般就怀疑PA部分。有以下问题想请教大家：
1.为什么出现杂散，我们一般会怀疑PA，难道PA的非线性更容易产生谐波，交调和互调吗？还有哪些因素容易引起杂散？
2.出现杂散时候，我们一般会在PA输出到ASM之间加一个PI型网络，如图，请问，这个PI型网络是高通还是低通？选择依据是什么（为什么是低通或高通）？
3.杂散分带内和带外杂散，什么是带内杂散，带外杂散？杂散是不是定义在PVT频率范围以外的相应频率上的发射电平？
请各位工程师指教，多谢！

第二个我觉得是低通吧，匹配网络也可以滤除高次谐波吧
个人愚见，等资深工程师解答

1.首先弄清楚是辐晒是传导，辐射的话有很多原因，传导就是PA out匹配、Transiver输出的匹配（及PA的输入匹配）
2.匹配没有特殊的要求，感觉上低通会好一点。
3.带内，带外是频段，不是PVT。比如GSM900频段，880915 & 925960就是带内，其他就是带外。

可以看看标准，标准中带内基本上就是载频两旁各20MHz到1.8MHz范围内的部分。

1.因为PA是最大的非线性贡献者所以第一个当然怀疑PA
引起杂散原因有几个
PA Load-pull没调好导致线性度不佳
或是Load-pull跑到了高谐波的区域

或是有DC进入了PA导致PA线性度下降
再不然PA电源受到高频噪声或瞬时电流影响
天下Bug出电源电源被干扰PA当然线性度会下降
这些都是引起杂散的常见原因
2.PA到ASM之间的PI型网络纯粹是Matching用的
当然如果能设计成低通是最好
这样可以砍谐波
可是不要忘记它主要目的是Matching
低通只是我们期许的附加条件
如果为了设计成一个低通
然后使Load-pull离50奥姆很远
导致PA线性度不佳
就算这低通能抑制谐波使杂散 Pass
但Frequency/Phase error, ORFS, Tx noixe in RXB都Fail
这就本末导致了有何意义?
所以这PI型网络低通或高通没有绝对
因为它主要目的就是Matching提升PA线性度
低通只是我们期望能额外附属的功能
所以如果要设计低通应该是设计在PA input
因为以GSM来讲 PA输入范围通常很大
(0 dBm6 dBm)
这表示你不需要特意调PA input的匹配有些许Mismatch Loss也无所谓
既然如此那就先在PA input设计一个低通
先把DA (Drive Amplifier)的谐波抑制
避免透过PA的非线性跟放大作用使谐波更为加强
另外PA input也是DA的Load-pull

所以所以若PA input设计成低通没用
那不仿把PA input 调到50奥姆
来提升DA的线性度
否则若DA线性度不佳
PA input前谐波已经很大
进入PA这个非线性贡献者谐波只会更恶化
除了PA 其实ASM也跟谐波息息相关
详细原理可参照

在此就不赘述

mark一下...

楼主分析的很好

以上是传导杂散的解法
如果传导杂散
但辐射杂散Fail
有几个可能因素
一个是Load-pull
天线匹配如果将谐波频点的天线阻抗匹配到50Ω附近，
应该辐射杂散也不会有问题
这是理论上
不过实际上
ASM看出去的Phase，会影响谐波值
这表示你就算天线匹配弄到50Ω附近
也可能会导致辐射杂散超标
因为或许阻抗都在50Ω附近
但相位不同其谐波会差到 30dB以上

遇到这种情况，可在前端加Phase Shifter，
补偿天线Matching所变更的Load-Pull与Phase，
再将其转回至谐波较低处

另外PA的Shielding 也会影响辐射杂散
由下图可知，若是两件式的Shielding Can，
其Shielding Cover会盖在Shielding Frame上方，

若Shielding Cover与Shielding Frame的接触不是很紧密，
则会产生时而开路，时而短路的情况发生，这样的行为模式，
宛如一个Switch。而Switch为非线性组件，会有非线性效应，
谐波便是典型的非线性效应之一。

由于PA本身的非线性效应
所以本来PA输出端就会有谐波产生
由上图可知，虽然Shielding Frame会透过GND Via，
与Main GND连接，但若Shielding Frame接地不够良好，
则这些谐波能量并不会全部流到GND，而是会有一部分，
再透过Shielding Frame与Shielding Cover的寄生电容，
耦合到Shielding Cover上。任何金属若没接地，
便是辐射体，因此当Shielding Cover与Shielding Frame未接触时，
此时Shielding Cover会等同辐射体，将其谐波能量辐射出去，
而且会因为其Switch模式的非线性效应，导致其谐波能量会更为加强，
这会使辐射杂散有超标的风险，

所以可以做实验测辐射杂散时
把Shielding Cover拿掉看是否会改善
(使之完全Open = off没有Switch模式效应)
如果会那就是要加强Shielding Cover与Shielding Frame的接触
一来是将其残留在Shielding Frame的谐波能量都流到GND，
二来是使之完全Short = On没有Switch模式效应
当然 Housing上的Spring因为影响接地
所以也要注意Switching模式效应

而有些电路为了解天线的SAR 会有Power Detection机制

但是因为其控制讯号的谐波较强
而且又在Connector与天线弹片间
这当然会影响辐射杂散因此建议先拿掉