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理论上对于信号来说，越大的电容转折频率越低，为什么1u电容无.
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理论上对于信号来说，越大的电容转折频率越低，为什么1u电容无法将900MHz信号滤除干净？
你基于哪个理论啊？有数据供分析没？
这个理论没听说过，越大的电容转折频率越低？啥意思？指教下。
1uF如此大的电容到了900MHz的射频频率，可能就呈现电感效应了。只在某一个特殊频段范围内，它才是1uF。
这么大的电容只能滤低频的杂散，可以看看电容的特性曲线
理想是理想；实际中，电容还会有寄生电感和电阻。由于通常大电容采用电解电容，其寄生电感也较大。所以，我们经常看到滤波电容同时采用一大一小，这就是非理想特性决定的。
这个问题应该这样来解释：
相同的封装大小的MLCC，要做到越大的容量，所需的积层数就越多，相应的的电介质厚度就越薄，同时电介质的介电常数就会也越大。
NPO-X7R-X5R-Y5V，介电常数是越来越大的。
介电常数大可以提高电容量，带来的效应就是受温度影响显著，和介质损耗的提高；而后者可以等效成一个并联的损耗电阻，串并转换之后相当于加大了电容在自谐振时的ESR.
学习了！
lao da chu ma,jiu shi bu yi yang,shou jiao le
由下图可知 越大的电容 其自我谐振频率越低
所以1uF的电容 其自我谐振频率大概10MHz
900MHz老早已经是电感性区域了
所以你若用1uF的电容 来滤除900 MHz的Noise
你利用的是它的电感性 而非电容性
那是不是自我谐振频率小于Noise频率的
就不能用 ?
倒也不是这么绝对 这样说好了
上面1uF的电容针对900 MHz的Noise
其Insertion Loss都至少还有-20 dB
而下面这个22pF的电容 虽然900 MHz
是座落在电容性区域范围
但其Insertion Loss只有-14 dB
单纯探讨噪声抑制能力的话
1uF的电容 可能比22pF的电容强
因为Insertion Loss较大
但是毕竟你是用1uF电容的电感性 来抑制噪声
尤其900 MHz已经离10MHz的自我谐振频率 很远很远了
换景说 在900 MHz 1uF的电容 已经几乎不是电容 而是电感了
就算噪声抑制下来了 你也难保不会有其他的Side-effect
但是我若换一个62pF的电容
其900 MHz的Noise座落在电容性区域范围
哪怕有所误差 跑到电感性区域范围
也不会差太远
然后Insertion Loss又有-38 dB
岂不是两者兼顾 ?
所以简单讲
单纯探讨噪声抑制能力的话
1uF的电容 或许是可以抑制900 MHz的Noise
但你何必硬要拿电容的电感性来砍Noise ?
会不会有Side-effect 你自己也担心害怕不是?
因此uF等级的电容 是拿来稳压的
而要滤除高频噪声 则会再并个小p数的电容
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。
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