首页 > 手机设计 > 手机射频设计讨论 > Wifi a 54M ch165 EVM 不良&USI wi.

Wifi a 54M ch165 EVM 不良&USI wi.

录入：edatop.com 点击：

现象：板子在测试 54M a 165信道的时候容易出现EVM不良,测试值左右10%.（其pass spec Bias point setting跑到了线性度较高的区域 => AM-PM改善 => EVM Pass但耗电流增加
放凉后 => Bias point setting跑到了线性度较低的区域 => AM-PM劣化 => EVM Fail但耗电流降低
换景说
若加温后的耗电流比放凉后的较高那应该就是这原因因为加温后的线性度增加了
当然有人会问若是PA或晶振造成这项的不良率
量产初期怎没爆发都量产两年才爆发?
原因是有可能PA跟晶振的厂商进版了
也就是说
现在的PA跟晶振跟两年前的不同
可能两年前的料已经EOL了
现在工厂打的是另外一批料
基本上这可以由IC上面的Datecode去观察
虽然如楼主所言
厂商未必会认这笔帐
但至少可以询问
PA跟晶振是否同两年前的一样?
顺便可以问一下USI 是否有更新过Firmware
因为Firmware可能会动到PA的Bias point setting

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。

上一篇：TD-SCDMA 会像GSM一样有电流音吗？
下一篇：手机PCB设计的RF布局技巧