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关于手机RSE的问题

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手机会做RSE的测试,中国为6G内的谐波
1. RSE较大主要由哪些因素引起的?希望能解释的详细一些
2. 谐波产生的原因是什么?具体是怎么计算的,是不是由波的传导反射叠加而来的?
3. 如果RSE主要是主天线匹配的问题,那么是将天线匹配调差以降低发射功率还是改好匹配减小反射波,进而减小谐波大小?
4. 如果还有资深工程师另有经验,也一起分享吧
谢谢大家了啊!

不知道RSE是什么

貌似是调天线降低消除谐波

辐射杂散 , 谐波是由于PA非线性产生的 ,计算的话度娘会告诉你吧 ,不知道对否,针对三 个人趋向于改好匹配减小反射波 ,因为发射功率降不知道会带来什么其他影响。

1.RSE产生的原因有很多,比如说PA的输入功率太高,PA的输入输出匹配不合理,以及主板上其他一些非线性器件等等都可能导致RSE超标,另外据说PA输出端口之间的互相耦合也可能导致GSM的2次谐波从DCS/PCS的通路耦合出去
2.谐波产生的主要原因是PA和其他器件的非线性,信号和反韶来的信号相加是同频相加,理论上不会产生谐波,但是PA负载的不合理,可能导致PA产生的谐波增大
3.我也认为应该改好匹配减小反射波。如果是GSM的2次谐波,可以这样考虑:
假定RSE是由天线主天线匹配引起,此时可以看下传导杂散,传导杂散如果是好的话,天线匹配如果将GSM 2次谐波频点的天线阻抗匹配到50Ω附近,应该辐射杂散也不会有问题,如果这样辐射杂散还有问题,那就不是因为主天线匹配引起。当然,修改匹配也可能在一定程度上破坏谐波产生的条件
GSM3次谐波和DCS的谐波的辐射,一般很少出问题,一般天线在这些频点的S11很大,所以我认为从天线上直接辐射出来的可能性不大
常见的RSE改善办法有:改匹配,调天线或者修改金属件的接地,找到并更换产生谐波的非线性器件

天线匹配如果将GSM 2次谐波频点的天线阻抗匹配到50Ω附近,
应该辐射杂散也不会有问题
这是理论上
不过 实际上
ASM看出去的Phase,会影响谐波值
这表示你就算天线匹配 弄到50Ω附近
也可能会导致辐射杂散超标
因为或许阻抗都在50Ω附近
但相位不同 其谐波会差到 30dB以上

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遇到这种情况,可在前端加Phase Shifter,
补偿天线Matching所变更的Load-Pull与Phase,
再将其转回至谐波较低处

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另外PA的Shielding 也会影响辐射杂散
由下图可知,若是两件式的Shielding Can,
其Shielding Cover会盖在Shielding Frame上方,

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若Shielding Cover与Shielding Frame的接触不是很紧密,
则会产生时而开路,时而短路的情况发生,这样的行为模式,
宛如一个Switch。而Switch为非线性组件,会有非线性效应,
谐波便是典型的非线性效应之一。

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由于PA本身的非线性效应
所以本来PA输出端就会有谐波产生
由上图可知,虽然Shielding Frame会透过GND Via,
与Main GND连接,但若Shielding Frame接地不够良好,
则这些谐波能量并不会全部流到GND,而是会有一部分,
再透过Shielding Frame与Shielding Cover的寄生电容,
耦合到Shielding Cover上。任何金属若没接地,
便是辐射体,因此当Shielding Cover与Shielding Frame未接触时,
此时Shielding Cover会等同辐射体,将其谐波能量辐射出去,
而且会因为其Switch模式的非线性效应,导致其谐波能量会更为加强,
这会使辐射杂散有超标的风险,

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所以可以做实验测RSE时
把Shielding Cover拿掉看是否会改善
(使之完全Open = off没有Switch模式效应)
如果会 那就是要加强Shielding Cover与Shielding Frame的接触
一来是将其残留在Shielding Frame的谐波能量都流到GND,
二来是使之完全Short = On没有Switch模式效应

当然 Housing上的Spring因为影响接地
所以也要注意Switching模式效应

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而有些电路为了解天线的SAR 会有Power Detection机制



但是因为其控制讯号的谐波较强
而且又在Connector与天线弹片间
这当然会影响RSE 因此建议先拿掉

申明:网友回复良莠不齐,仅供参考。

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