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高通8系上支持的APT功能问题
一般的调整电压是0.6-Vbat的范围,可以参考RF6650的datasheet,或者是RF7241的datasheet.
其实就是一个查表(power VS DAC&Vcc)的过程,没有太特殊的地方。
提高效率的机制:
比如输出10dBm的功率,根本不需要Vcc=3.4V。所以将电压降低到了比如1.5V。电流不变的情况下面,同样的输出,消耗的功率变小了。
具体可以参考高通的文档。
多谢版主指点,具体高通的文档是哪一个专门谈到APT呢?
我也有个相关问题,麻烦各位帮我看下。
高通的8260采用GPIO_82(TX_AGC_ADJ)发出的PWM来控制RF DC-DC的输出。
那么控制PWM的输出应该是由MSM8260某个寄存器来控制. 哪位仁兄能告知是哪个寄存器吗?
手头上的资料不足,实在查不到啊。
想请教下海大兄,加入APT后,功控就复杂了一些,那ILPC的性能是不是会受到些影响? 理论上ILPC对功率波动是非常敏感的,因为我做得平台没有这种机制,所以想了解一下它的特性,多谢!
供电调整的幅度应该没那么大,功率波动会控制在理想范围内吧。
这个是锦上添花的优化功能,不会影响本身的ILPC才对。
海大、fengmo。这个问题继续啊,讲讲明白,多谢多谢!
好像8系列+WTR1605L上加入APT后ILPC还好.实在有问题局调下几个PA时序的NV就可以,因为ILPC在功率切换点最容易出问题.但是实际上引入APT后输出功率跟没有APT时是一样的, 从校准出来的线性表中看出,假如输出功率一样,没有APT的话,Vbias=780(3.4V),RGI=60,引入APT后,Vbias=600(2.64V),RGI=63,我们发现当PA的VCC2电压降低时,RGI有所增加,不过测出来的电流还是减少了. 做APT特征化曲线时留了7dB的ACLR余量,射频性能不会恶化. PA VCC2的供电电压范围是1V到3.4V, 因为VCC2 在1v以下的话低功率时会出一些问题. 还有好像高通的在APT上的算法还有待优化,没有达到DCDC厂商的预期.
用qspr做出APT表,导入qspr校准,查看手机在各功率级的ACLR, ILPC指标,有问题的话,在修改APT表,重复。必要的话再修改些NV.
APT就是为了提升效率,gain不会悲,PA通过APT的调整使得工作在线性区的末端,也就是gain不会压缩,功率不会有悲,线性度稍稍恶化,也就不存在你说的ILPC的问题
申明:网友回复良莠不齐,仅供参考。
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