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qualcomm平台项目遇到RX LEVEL问题

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做了好几个qualcomm平台项目遇到RX LEVEL在-85dBm的时候,低频某些信道偏到23或者27;灵敏度做到-108.5 RX LEVEL反馈值也许只有-106-107;客户要求在+/-2以内,要求是严了点,但毕竟这也是一项反映手机的指标;同平台的项目有些项目好有些项目差,校准文件及软件是一个baseline的;如果掺杂有干扰,ANT输出走第三层与表层的RX线是垂直的,PA输入走第五层打孔上表层离RX 线虽说平行还是有一段距离的,关键是从测试结果来看有时能直接从25跳到23,qualcomm 的demo机很平很一致,cell power -108的话,RX LEVEL 返回值基本在-108-109 我觉得这个是比较正常的;有没有人朝这个坑里扔点东西,求思路求见解

路过,关注

个人建议:我不喜欢把rx线走在表层,因为我不知道板子上面有没有金属器件。
如果有,会对rx有影响。
为何不把rx线走内层?

表层的线走的比较宽,而且比较容易控制阻抗;虽说控制50ohm,走内层的,没什么影响,但实际板厂又有几家能做到50ohm呢,还有内层线很细的,基本就在0.1mm多点,表层的线0.2mm了,无论从插损还是阻抗控制来说,灵敏度想做到低频-108.5以上,高频-108走表层还是有优势的;从QULACOMM demon以及NOKIA的Layout来看,他们也有很多项目是走在表层的;我直接从天线开关飞线到RX SAW前端趋势还是这样,如果是传导干扰这段应该可以排除掉吧

如果你真想返回值正常, 可以修改校准参数

好好优化下补偿 频段+温度

RX 不是都在屏蔽罩里面吗?跟外壳有没有金属有咩关系?

发射受温度影响比较大吧接收是小信号LNA对温度的影响应该不敏感吧同时QUALCOMM平台也没有针对LNA VS temp的校准项包括calibrated and static

申明:网友回复良莠不齐,仅供参考。

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