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Temp对PA（GSM CDMA TD-SCDMA）的影响有.
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为什么温度悲时，对应的各制式发射功率悲波动不同？难道是温度对PA影响反应不同吗？望有较为深入的解答
PA对温度很灵敏
顶顶 等资深工程师解答我这里有一点解答不过希望得到更加专业 准确的回答
通常听到别人说高温功率会下降，要补偿，低温会升高，也要补偿。其实这种说法是不准确的，你说的不同制式下功率的有的升，有的降，也是不准确的。
跟PA没有直接的关系，PA增益是会温度悲而悲，但是PA后面有个神马power detector不是摆设（现在都集成进PA或是transceiver里面了），功率检测电路用的还是同一个晶圆上的两个二极管设计，就是防止温度漂移特性的。会自动给你补偿起来的。根本原因在下归结为2点：
1.前端器件的温度特性，主要指PA输出到射频测试口之间的器件和匹配电路，如duplexer，这个器件的插入损耗会随温度悲而悲，特别是匹配带内没有调收敛的，温度一变，各个信道的悲都不一致，都得损耗变大，有的变小。
2.PA负载特性。PA到射频测试口之间的电路可以整体看成PA的负载，温度悲是，各匹配电路的阻抗会漂移，造成PA的负载总阻抗漂移，这种漂移可是跟人品有关，可能往左上跑，也可能往右下跑，还可能往左下跑（想想一个pi型匹配，三个原件的阻抗都随温度悲而悲，那他们总阻抗到底往哪变，电容电感换个厂家，特性就不一致，你用muruta的，我用taiyo的，同是1nH，特性和误差都不一样），这样load变了，PA的输出特性自然也变了，可能变好，也可能变差。
如果没说清楚，可以跟帖，再作解答，洗洗睡了。
这些讲的都很好很值得学习
我的问题就是想问问 G网的和C网的所使用的PA会有不同吗？ 是不是G网的PA一般会集成一个POWER CONTROL和一个 power bias，C的是 bias control Voltage。还是他们这样的配置是一样的？
G网和C网的PA是不同的，首先C网用的是线性PA，G网用的通常是非线性PA。另一方面，你说的，power control和power bias是指PA自身的控制电路，power detector电路是指系统中用于检测PA到底输出多少功率的电路。
C网用的是线性PA，G网用的通常是非线性PA这个我知道 他那个PA的自身控制电路是不是会牵扯“几个”不同的补偿导致G网的补偿会更好一些？为什么做过的测试表明 G网 随温度悲 不会像C网那么大？
GSM的PA之所以多一个power control信号你自己想想Vramp或是Vapc的功能是什么就知道了，实际上所有的PA都有bias control信号用于控制增益，只是说有的是voltage feed back，有的是current feed back。GSM PA要多一个，用于控制功率时间ramp up和ramp down的，这个信号跟PA在不同温度下的增益悲没有任何关系。
大概明白问题的答案了我再整理下 要是想不明白 再问前辈谢谢啦
顶一下 有更好的 更专业的解答 期待
现在终于搞明白了 哈哈yilingbaby 是资深工程师
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。
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