求分析EVM和Rho调试方向

录入：edatop.com 点击：

之前是除了功率，其他指标都FAIL，后来看了网站工程师发言，ACLR不好可能是匹配不好导致，于是在PA（TRANSCIVER内置）前级测试，发现ACLR果然PASS了，下面尝试调PA匹配来解决ACLR问题。但是Rho和EVM（PA input）还是FAIL，Rho 0.88， EVM 35% rms。
查了一下Rho和EVM是整体指标的意思,
那么我猜测主要是相位噪声的原因，按我的想法，下面应该查PLL供电、LOOPFILTER、晶振基准时钟这几方面，不知道我的方向对么？还有啥没考虑到的？谢谢工程师对我的帮忙[5

刚才做了以下实验
1.用一块指标好的板子，把它的高精度RF时钟引过来替代我的时钟
2.稍微调了一下LOOP FILTER，以我有限的知识，按照参考设计来的LOOPFILTER一般不会引入类似于现在这么大的问题。
3.TRANSCIVER所有电源（除寄存器神马的）都加了1nF+10nF+100nF退偶电容，个别重要的（VCO神马的）加了uF级退偶电容。
以上测试做完后对结果Rho，EVM都没有影响，EVM的相位误差17度左右。
测试的DRIVER OUTPUT脚，还没有经过PA呢。
小弟坐等工程师指导了

顶一下，周末资深工程师不上班？

退偶电容要是加的话，我会考虑间隔2个数量级的组合，比如10pF，1nF，100nF。
有可能是Layout问题/

先看频率误差，再看相位误差，如果都好的话，看看你的参考电路的IQ信号是否有匹配电路，动动它看看，如果没有IQ信号的匹配，好好查查layout吧。

最大发射功率时电流有多大尼？

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。

上一篇：内置FM天线
下一篇：带内杂散和带外杂散