金属壳对射频指标的影响

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FE/PE变差，最直接原因通常都是RF IC 受到干扰。
至于干扰路径：可能是从PA反馈回去（传导路径），也可能是因为干扰辐射（辐射路径）影响到RF IC。
只要找到干扰路径就可以想办法解决。
理论上也存在一种可能性是PA被干扰到造成的影响--但是这种影响的几率因该比较小。

很有道理，不过我问的是金属壳接地好时，FE和PE都没问题，但是接地不好时，FE和PE会变差，传导测试都没有问题。所以我的问题是耦合测试时为什么金属壳接地不好时为什么会使FE和PE变差？

目前一个直板机DCS耦合功率最大27，去掉A壳可以测到32,这算正常损耗吗？我已经反复实验了A壳接地点位置，无法超过28。这种情况该怎么解，主板是短板。

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传导正常，就不是板级问题，多半是辐射问题。
这个设计是金属壳，金属壳接地好，可以作为天线的参考面；金属壳接地不好，或许就影响到天线性能（因为天线的参考平面一般就是手机主GND）。
还有刚刚看到Iphone4的拆解报告，金属外壳是作为天线存在的--这个外壳接地好坏应该对于天线性能影响更大吧。

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。

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