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借力台积电，海思推16nm网络处理器
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海思半导体采用台积电16FinFET制程，成功产出首颗以鳍式场效电晶体(FinFET)制程和安谋国际(ARM)架构为基础的网通处理器，除可大幅提升运算效能外，更支援次世代虚拟化网路应用。
海思半导体总裁何庭波表示，在台积电FinFET技术及CoWoS解决方案的支援下，海思得以率先产出以FinFET制程及ARMv8架构为基础的32核心ARM Cortex-A57网通处理器，运算速度可达2.6GHz，效能亦较前一代处理器增快三倍，且能支援虚拟化、软体定义网路(SDN)及网路功能虚拟化(NFV)应用的下一世代基地台、路由器及其他网通设备。
藉由台积电的16FinFET制程，海思半导体开发出具效能与功耗优势的全新处理器，以支援高阶网通应用产品。海思同时也采用台积电经过生产验证且能整合多元技术晶片的CoWoS 3D积体电路(IC)封装技术，能有效整合16奈米(nm)逻辑晶片与28奈米输入/输出(I/O)晶片，提供具成本效益的系统解决方案。
据了解，台积电的16FinFET制程能够显着改善速度与功率，并且降低漏电流，有效克服先进系统单晶片(SoC)技术微缩时所产生的关键障碍。相较于台积电的28奈米高效能行动运算(28HPM)制程，16FinFET制程的晶片闸密度增加两倍，在相同功耗下速度增快逾40%，或在相同速度下功耗降低逾60%。
台积电总经理暨共同执行长刘德音表示，台积电在FinFET领域的研发已经超过10年，因而能缔造上述成果。台积电将发挥FinFET技术的最大效益，并在先进制程IC制造领域，继续保持长期领先地位的纪录。
台积电的16FinFET制程早于2013年11月即完成所有可靠性验证，具备理想良率并进入试产阶段，为台积电与客户的产品设计定案、试产活动与初期送样打下良好基础。
海思半导体总裁何庭波表示，在台积电FinFET技术及CoWoS解决方案的支援下，海思得以率先产出以FinFET制程及ARMv8架构为基础的32核心ARM Cortex-A57网通处理器，运算速度可达2.6GHz，效能亦较前一代处理器增快三倍，且能支援虚拟化、软体定义网路(SDN)及网路功能虚拟化(NFV)应用的下一世代基地台、路由器及其他网通设备。
藉由台积电的16FinFET制程，海思半导体开发出具效能与功耗优势的全新处理器，以支援高阶网通应用产品。海思同时也采用台积电经过生产验证且能整合多元技术晶片的CoWoS 3D积体电路(IC)封装技术，能有效整合16奈米(nm)逻辑晶片与28奈米输入/输出(I/O)晶片，提供具成本效益的系统解决方案。
据了解，台积电的16FinFET制程能够显着改善速度与功率，并且降低漏电流，有效克服先进系统单晶片(SoC)技术微缩时所产生的关键障碍。相较于台积电的28奈米高效能行动运算(28HPM)制程，16FinFET制程的晶片闸密度增加两倍，在相同功耗下速度增快逾40%，或在相同速度下功耗降低逾60%。
台积电总经理暨共同执行长刘德音表示，台积电在FinFET领域的研发已经超过10年，因而能缔造上述成果。台积电将发挥FinFET技术的最大效益，并在先进制程IC制造领域，继续保持长期领先地位的纪录。
台积电的16FinFET制程早于2013年11月即完成所有可靠性验证，具备理想良率并进入试产阶段，为台积电与客户的产品设计定案、试产活动与初期送样打下良好基础。
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