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RF的PA前置隔离度差？
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非常感谢，因为好多项目都遇到了，所以觉得不应该是都受了干扰。不过下去关注下，看下是不都有这个问题。
分析的很好。这种情况平常很多遇到过，听他们有人说，是RFMD的PA的前向隔离度差，看到有人说有修改时隙改好的，具体不清楚。不过你这个建议下去尝试下，非常感谢。
用RF PA的应该不少，难道没人遇到过？
PAEN受干扰了怎么引起的？PAEN只是PA的一个使能控制信号吧，如果是干扰了可能会导致PA异常操作吧，怎么会增加那一段的底噪呢？
我只是碰到过，但是具体的原因还没想清楚，你可以把PAEN拉出线来，碰到你的发射线上，底躁会有明显的提升，可以证明PAEN受干扰也会造成这个问题
PA一般直接接Vbat。这个PAEN是指什么，是TXEN还是PA logic ？
有什么解决方法？ 就是使发射线和PAEN隔离，尽量隔离的好？
新手漂过
发射线离PA EN远一点就可以了，不要直接 相邻
都是资深工程师啊
注意如果用的一进4出的二合一SAW，850/900-1800/1900共用一路的这种，2频转4频RX输入匹配本身SAW的前端1/2是共用的，通过调输入匹配去降噪效果更不明显，你调850会串到900，调1800会串到1900。
这个前向隔离度很差，很容易通过ASW串到front-end干扰到TX输出。
RX回路，虽然是无源的，但是一旦串到TX，难去除。
PA的前向隔离度是有源的，会放大噪声，除非本身特性做的不好，一般调EN时序都可以切干净。
TX-EN就是PA-EN，我一般喜欢叫TX-EN
PA-LOGIC，就是RAMPING
一般PA-EN会接个RC延迟吸收回路，让边沿上升不至于引起过冲，同时也可以有滤波降噪功能。
有些PCB LAYOUT问题，如果注意电路设计的话，可以从原理的源头解决，而解放LAYOUT的难度与约束。
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。
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