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乘风4G，我国移动芯片产业破浪前行
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< 我国移动芯片产业发展提速
在国家对新一代宽带无线通信产业和集成电路产业的大力支持下，国内取得了从“无芯”到“有芯”的重大突破，涌现出一批初具国际竞争力的设计企业，与国际顶级企业间的技术差距在不断缩小。2013年4G牌照的正式发放，更是为国内移动芯片实现从“有芯”到“强芯”的创新升级提供了良好的发展环境。
通信芯片方面，2011年、2012年、2013年的前三个季度，我国手机基带芯片出货量分别为3.93亿片、4.62亿片、4.37亿片。国产化率3年内实现翻番，占比超过23%。在LTE芯片方面我国已基本跟上国际水平。目前海思、展讯、联芯、中兴微电子、创毅视讯、重邮信科、国民技术等企业已实现LTE基带芯片的商用供货。海思、展讯等多家企业已经开展TD-LTE、TD-SCDMA、FDD LTE、GSM和WCDMA五模芯片的研发，并采用目前最先进的28nm工艺设计，2014年多款平台即可实现商用。LTE-Advanced多模芯片的研发目前也正在进行，预计2014年可发布测试用样片。
在应用处理芯片上，2011年、2012年、2013年的前三个季度我国智能手机应用处理芯片出货量分别为0.97亿片、2.58亿片和3.18亿片，目前国产化率已达到25%，增长态势明显。同时，展讯和联芯等提供的集成通信基带和应用处理器的单芯片是拉动发展的重要力量。值得一提的是，国内企业对基础架构的理解也逐步深入，海思正成为国内首家获得ARM架构授权资格的企业。此外，君正基于MIPS指令集设计的处理器架构，在教育电子设备领域已有较广应用（占据国内45%的市场），并正逐步向智能手机、平板电脑及可穿戴设备等领域发展。
客观而言，在当前的产业格局下，我国移动芯片要实现进一步突破升级，在市场拓展、技术提升、产业合作等方面仍面临巨大挑战。
首先，国内多数企业实力和国际领先企业差距较大，产品以中低端市场为主、利润率低，时刻面临高通等巨头进入中低端市场挤压生存空间的严峻挑战，未来随着设计技术及工艺技术升级的难度加大，还将面临差距拉大再次掉队的风险。
其次，大带宽、高速率、高性能、低功耗的发展需求需要引入28nm甚至更高工艺，我国目前28nm芯片产品仅有少量供货。除此之外，国内企业也普遍缺乏对CPU、GPU、DSP等基本功能IP核的开发和积累，制造企业在工艺IP 的积累方面严重不足。
最后，移动芯片与本土集成电路制造方面的互动空间仍然巨大，如中芯国际40nm工艺仅能支持国内厂商约20%的产能需求， 28nm尚未进入大规模量产阶段，无法满足国内企业的新产品研发需求。
需要看到的是，在面临严峻挑战的同时，我国移动芯片技术未来升级也存在几个重要机遇。
一是我国通信业全面进入4G时代。2013年12月4日，工信部正式向三大运营商发放4G牌照，这标志着我国通信业进入了4G新时代，全球最大LTE市场的启动为我国移动芯片技术及产业的进一步升级营造了良好的发展环境。
二是移动智能终端仍将保持蓬勃发展的态势，国内终端企业在全球产业的地位快速提升，华为、联想、中兴已进入全球前十，在主流及入门市场中国企业更是成为创新主力。国内巨大的市场优势及终端产能优势，为后续芯片企业与终端企业深化合作、提高芯片国产化率创造了更多发展机遇。
三是我国移动芯片产业发展的基础已经奠定。经过多年发展，国内移动芯片企业在技术及市场方面已取得一定突破和积累，并积极参与国际市场的竞争与合作，在全球产业地位得以提升的同时，也在迅速跟进全球技术发展趋势，并与国际巨头形成良好的合作关系，如高通与中芯国际、展讯与台积电等的合作，为将来更好地借鉴和利用国际优势资源、提升自身竞争实力奠定良好基础。
4G时代，紧握产业升级新机遇
4G时代的到来正在给移动芯片产业带来难得的重大发展机遇。面对这一契机，我国移动芯片产业应充分利用市场优势，加强对移动芯片技术和产业的布局，推动产业链各环节的协同创新，实现我国移动芯片技术及产业的进一步升级。
一是充分发挥本土市场优势，推动移动芯片产业规模快速放大。充分发挥移动互联网和智能终端的产业拉动效应，鼓励运营商终端集采、终端企业整机研发时优先采用国产芯片，加快内需市场移动芯片国产化进程。推进移动芯片在可穿戴智能终端、智能电视、物联网以及云计算服务器等新兴领域的应用。
二是突破关键技术，夯实多模多频、高性能、高工艺芯片设计及制造等核心技术基础。继续加强对LTE及LTE-Advanced多模多频芯片、多核并行架构及64位架构芯片、集成型单芯片的研发。加大对最先进工艺商用芯片研发的支持。推进ARM基础架构的深入研发和定制，加强对DSP、GPU、USB、HDMI接口等关键IP核的自主研发，鼓励探索基于MIPS架构产业生态的建设。
三是加强产业联动，实现移动芯片设计及制造等关键环节的协同进步。联合芯片设计及制造企业共同实现20nm及更高工艺基础技术的研发；推进模拟及MEMS等特色工艺的实现。鼓励国内企业以多种方式实现知识产权共享，鼓励设计和制造企业深化合作，实现特色工艺产品的研发，促进“芯片与整机”、“芯片设计与制造”、“IP核与芯片设计”参与主体间的资源协调、优化和紧密合作。
四是充分发挥国家的政策支持和引导作用，进一步加强对核心技术研发、关键设备采购以及核心专利授权等的支持及协调。优化产业环境，针对移动芯片及集成电路发展需求，探索调整现有投资、人才、研发机制；鼓励产业基金、风投等加大对中小企业的支持，积极探索新技术、新方向，推动国内企业间的并购及合作；扩大芯片制造企业的上市融资渠道，吸引更多资本。
在国家对新一代宽带无线通信产业和集成电路产业的大力支持下，国内取得了从“无芯”到“有芯”的重大突破，涌现出一批初具国际竞争力的设计企业，与国际顶级企业间的技术差距在不断缩小。2013年4G牌照的正式发放，更是为国内移动芯片实现从“有芯”到“强芯”的创新升级提供了良好的发展环境。
通信芯片方面，2011年、2012年、2013年的前三个季度，我国手机基带芯片出货量分别为3.93亿片、4.62亿片、4.37亿片。国产化率3年内实现翻番，占比超过23%。在LTE芯片方面我国已基本跟上国际水平。目前海思、展讯、联芯、中兴微电子、创毅视讯、重邮信科、国民技术等企业已实现LTE基带芯片的商用供货。海思、展讯等多家企业已经开展TD-LTE、TD-SCDMA、FDD LTE、GSM和WCDMA五模芯片的研发，并采用目前最先进的28nm工艺设计，2014年多款平台即可实现商用。LTE-Advanced多模芯片的研发目前也正在进行，预计2014年可发布测试用样片。
在应用处理芯片上，2011年、2012年、2013年的前三个季度我国智能手机应用处理芯片出货量分别为0.97亿片、2.58亿片和3.18亿片，目前国产化率已达到25%，增长态势明显。同时，展讯和联芯等提供的集成通信基带和应用处理器的单芯片是拉动发展的重要力量。值得一提的是，国内企业对基础架构的理解也逐步深入，海思正成为国内首家获得ARM架构授权资格的企业。此外，君正基于MIPS指令集设计的处理器架构，在教育电子设备领域已有较广应用（占据国内45%的市场），并正逐步向智能手机、平板电脑及可穿戴设备等领域发展。
客观而言，在当前的产业格局下，我国移动芯片要实现进一步突破升级，在市场拓展、技术提升、产业合作等方面仍面临巨大挑战。
首先，国内多数企业实力和国际领先企业差距较大，产品以中低端市场为主、利润率低，时刻面临高通等巨头进入中低端市场挤压生存空间的严峻挑战，未来随着设计技术及工艺技术升级的难度加大，还将面临差距拉大再次掉队的风险。
其次，大带宽、高速率、高性能、低功耗的发展需求需要引入28nm甚至更高工艺，我国目前28nm芯片产品仅有少量供货。除此之外，国内企业也普遍缺乏对CPU、GPU、DSP等基本功能IP核的开发和积累，制造企业在工艺IP 的积累方面严重不足。
最后，移动芯片与本土集成电路制造方面的互动空间仍然巨大，如中芯国际40nm工艺仅能支持国内厂商约20%的产能需求， 28nm尚未进入大规模量产阶段，无法满足国内企业的新产品研发需求。
需要看到的是，在面临严峻挑战的同时，我国移动芯片技术未来升级也存在几个重要机遇。
一是我国通信业全面进入4G时代。2013年12月4日，工信部正式向三大运营商发放4G牌照，这标志着我国通信业进入了4G新时代，全球最大LTE市场的启动为我国移动芯片技术及产业的进一步升级营造了良好的发展环境。
二是移动智能终端仍将保持蓬勃发展的态势，国内终端企业在全球产业的地位快速提升，华为、联想、中兴已进入全球前十，在主流及入门市场中国企业更是成为创新主力。国内巨大的市场优势及终端产能优势，为后续芯片企业与终端企业深化合作、提高芯片国产化率创造了更多发展机遇。
三是我国移动芯片产业发展的基础已经奠定。经过多年发展，国内移动芯片企业在技术及市场方面已取得一定突破和积累，并积极参与国际市场的竞争与合作，在全球产业地位得以提升的同时，也在迅速跟进全球技术发展趋势，并与国际巨头形成良好的合作关系，如高通与中芯国际、展讯与台积电等的合作，为将来更好地借鉴和利用国际优势资源、提升自身竞争实力奠定良好基础。
4G时代，紧握产业升级新机遇
4G时代的到来正在给移动芯片产业带来难得的重大发展机遇。面对这一契机，我国移动芯片产业应充分利用市场优势，加强对移动芯片技术和产业的布局，推动产业链各环节的协同创新，实现我国移动芯片技术及产业的进一步升级。
一是充分发挥本土市场优势，推动移动芯片产业规模快速放大。充分发挥移动互联网和智能终端的产业拉动效应，鼓励运营商终端集采、终端企业整机研发时优先采用国产芯片，加快内需市场移动芯片国产化进程。推进移动芯片在可穿戴智能终端、智能电视、物联网以及云计算服务器等新兴领域的应用。
二是突破关键技术，夯实多模多频、高性能、高工艺芯片设计及制造等核心技术基础。继续加强对LTE及LTE-Advanced多模多频芯片、多核并行架构及64位架构芯片、集成型单芯片的研发。加大对最先进工艺商用芯片研发的支持。推进ARM基础架构的深入研发和定制，加强对DSP、GPU、USB、HDMI接口等关键IP核的自主研发，鼓励探索基于MIPS架构产业生态的建设。
三是加强产业联动，实现移动芯片设计及制造等关键环节的协同进步。联合芯片设计及制造企业共同实现20nm及更高工艺基础技术的研发；推进模拟及MEMS等特色工艺的实现。鼓励国内企业以多种方式实现知识产权共享，鼓励设计和制造企业深化合作，实现特色工艺产品的研发，促进“芯片与整机”、“芯片设计与制造”、“IP核与芯片设计”参与主体间的资源协调、优化和紧密合作。
四是充分发挥国家的政策支持和引导作用，进一步加强对核心技术研发、关键设备采购以及核心专利授权等的支持及协调。优化产业环境，针对移动芯片及集成电路发展需求，探索调整现有投资、人才、研发机制；鼓励产业基金、风投等加大对中小企业的支持，积极探索新技术、新方向，推动国内企业间的并购及合作；扩大芯片制造企业的上市融资渠道，吸引更多资本。
