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三星处理器制程迈进 将推自有64位架构
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三星在日前已经证实将于2014年推出64位元架构处理器，此次分析师日活动中也再次说明此项发展目标。而除将使用ARM授权技术，三星也表示将开发自有64位元架构技术，预期将以此强化本身处理器市场发展。
根据三星于分析师日说明内容，再次重申预计2014年推出64位元架构处理器产品。其中不但将导入ARM授权为基础的64位元架构技术，三星也透露将推出自有研发的64位元架构处理器技术。不过，目前暂时未有更为具体细节讯息，但显然三星预计将在明年大幅度进攻64位元架构市场。
至于在制程技术部分，三星除稍早宣布旗下14nm FinFET制程技术进入试产，从相关图表也显示预计2015年才会正式进入量产阶段，并且准备将于2016年间进入10nm制程发展阶段。
就现行采第二代28nm高介电常数金属闸极 (HKMG,High-K/Metal Gate)技术，三星则预计进展至导入后闸极 (Gate Last)设计的20nm高介电常数金属闸极技术，并且使工作电压从1.0V降至0.9V。
目前除苹果首度于iPhone 5s采用64位元架构的A7处理器，三星于后续也宣布将在2014年推出64位元架构处理器，并且传出将应用在新款Galaxy系列旗舰机。
而包含ARM、Qualcomm均表示看好64位元架构市场发展，Intel方面则表示目前旗下处理器均已准备好支持64位元架构设计。
根据三星于分析师日说明内容，再次重申预计2014年推出64位元架构处理器产品。其中不但将导入ARM授权为基础的64位元架构技术，三星也透露将推出自有研发的64位元架构处理器技术。不过，目前暂时未有更为具体细节讯息，但显然三星预计将在明年大幅度进攻64位元架构市场。
至于在制程技术部分，三星除稍早宣布旗下14nm FinFET制程技术进入试产，从相关图表也显示预计2015年才会正式进入量产阶段，并且准备将于2016年间进入10nm制程发展阶段。
就现行采第二代28nm高介电常数金属闸极 (HKMG,High-K/Metal Gate)技术，三星则预计进展至导入后闸极 (Gate Last)设计的20nm高介电常数金属闸极技术，并且使工作电压从1.0V降至0.9V。
目前除苹果首度于iPhone 5s采用64位元架构的A7处理器，三星于后续也宣布将在2014年推出64位元架构处理器，并且传出将应用在新款Galaxy系列旗舰机。
而包含ARM、Qualcomm均表示看好64位元架构市场发展，Intel方面则表示目前旗下处理器均已准备好支持64位元架构设计。
