关于射频线为什么有三倍线宽的原则

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射频走线（比如微带线）时，为什么和周围“地”之间间距有3倍线宽的原则？
这个原则和计算射频线宽有什么关系吗？
请工程师指教，多谢！

怎么没人讨论呀

2倍吧。实际的板子没那么大空间留3倍线宽。
至于为什么嘛。因为计算微带线的时候，射频线的同一层旁边是没有地的，而保持射频线与旁边GND之间有2倍以上的线宽距离，其中一个原因就是不影响射频线的效果。GND越近，射频线的实际传输特性就与计算出来的结果差别越大。而且，在频率很高的时候，GND太近，会影响射频信号的幅度。仿真一下就能看出来的。

射频线是由同轴线缆的模型发展过来的，应该是四周都有“地"？
偶不是很懂，还请工程师指教，多谢!

3W 和20H原则是射频里比较常见的布线方法
3W 是线的中心算起的当然在手机里确实没有严格按照3W来做的
3W规则
为了减少线间窜扰，应保证线间距足够大，当线中心距不少于3倍线宽时，则可保持70%的电场不互相干扰。如要达到98%的电场不互相干扰，可使用10W规则。

20H原则？是啥咚咚，请LS兄弟指教

3倍比较理想一点，对于微带线模型来说。如果地离微带线比较近的话，特性阻抗模型就变成CPWG模型，而不是纯粹的微带线模型，CPWG模型复杂，不太容易控制阻抗。

线的板边距要大于20倍的板子的厚度

3w原则是为了尽可能的不影响传输线的阻抗。

3W是指在同层走线中，其它走线与本线的距离。这样做的目的有2：
1、防止走线之间的串扰，实验表明，3W走线可有效的减小90％的串扰
2、防止对本线特征阻抗的影响。特征阻抗其中的一个重要影响因素就是到参考平面的距离H，一般都是与最近的GND层作为参考平面。如果其他走线靠的太近，其参考平面就会产生悲，特征阻抗就会悲
20H主要是指电源层内缩。实验证明，板边的EMI辐射是最强的，而电源又是主要的辐射源，因此，为了PCB有良好的EMI性能，电源层要离板边一段距离，然后用GND包起来，那么要离多远了。经过仿真和实验表明，当电源层内缩20H，可有效的减小EMI 90％，H指的是电源层到其最近的参考GND层的距离，而非PCB的厚度。
以上数据都是我和我师傅做的仿真和实际测试得出的结论，应该是可信的。

同意楼上的。

不错，受益匪浅！

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。

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